[发明专利]一种III族半导体发光器件的制作方法

权利要求书

1.一种III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构，所述外延结构的上表面为所述p型氮化物半导体层的上表面；

利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，再蚀刻所述p型氮化物半导体层和有源层，而暴露所述n型氮化物半导体层，最后去除光阻，得到凸台；

沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上或沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上及n型氮化物半导体层之间，所述透明导电层的厚度为10-300nm；利用黄光蚀刻制程定义所述透明导电层图案，再蚀刻所述透明导电层，最后去除光阻，在温度为560℃的条件下退火3分钟，得到上表面具有透明导电层的凸台；

沉积绝缘层在所述透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光蚀刻制程定义要参与电流分布的图案、再蚀刻绝缘层，利用黄光蚀刻制程定义要与所述p型氮化物半导体层的接触图案或利用黄光蚀刻制程定义要与所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的接触图案，再连续蚀刻所述绝缘层和/或透明导电层，最后去除光阻，得到具有绝缘层的凸台；

黄光剥离制程定义P型线电极和N型线电极图案，同时沉积所述P型线电极和N型线电极，后利用剥离制程，再去除光阻，再利用黄光剥离制程定义P型焊盘和N型焊盘图案，同时沉积所述P型焊盘和N型焊盘得到P型电极和N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，制成圆片，其中，所述N型电极包括：N型线电极与N型焊盘，所述N型线电极与所述N型焊盘相连接，所述N型线电极沉积在所述凸台上，所述N型线电极下方的有源层被蚀刻掉或所述N型线电极下方的有源层被部分蚀刻掉，所述N型焊盘沉积在所述有源层的上方，所述P型电极包括：P型焊盘与P型线电极，所述P型电极沉积在所述凸台上；

最后将所述圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。

2.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述沉积绝缘层在所述透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光蚀刻制程定义要参与电流分布的图案、再蚀刻绝缘层，利用黄光蚀刻制程定义要与所述p型氮化物半导体层的接触图案或利用黄光蚀刻制程定义要与所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的接触图案，再连续蚀刻所述绝缘层和/或透明导电层，最后去除光阻，得到具有绝缘层的凸台，进一步为，

沉积绝缘层在透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光蚀刻制程定义要与所述p型氮化物半导体层的接触图案或利用黄光蚀刻制程定义要与所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的接触图案，再连续蚀刻所述绝缘层及透明导电层，利用黄光蚀刻制程定义要参与电流分布的图案，再蚀刻所述绝缘层，最后去除光阻，得到具有绝缘层的凸台。

3.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：沉积电流阻挡层在p型氮化物半导体层上，该电流阻挡层位于所述透明导电层内部，并利用黄光蚀刻制程定义所述电流阻挡层图案，再蚀刻电流阻挡层，最后去除光阻，得到具有电流阻挡层的外延结构。

4.根据权利要求1所述III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，黄光剥离制程定义P型线电极和N型线电极图案，同时沉积所述P型线电极和N型线电极，后利用剥离制程，再去除光阻，再利用黄光剥离制程定义P型焊盘和N型焊盘图案，同时沉积所述P型焊盘和N型焊盘得到P型电极和N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，制成圆片，其中，所述N型电极包括：N型线电极与N型焊盘，所述N型线电极与所述N型焊盘相连接，所述N型线电极沉积在所述凸台上，所述N型线电极下方的有源层被蚀刻掉或所述N型线电极下方的有源层被部分蚀刻掉，所述N型焊盘沉积在所述有源层的上方，所述P型电极包括：P型焊盘与P型线电极，所述P型电极沉积在所述凸台上，进一步为，

所述N型焊盘位于所述绝缘层上；

所述N型线电极位于所述n型氮化物半导体层上。