[发明专利]芯片参数修调电路、修调方法以及包括该修调电路的芯片

权利要求书

1.一种芯片参数修调电路，用于对封装后的芯片的参数进行修调，其特征在于，所述修调电路包括控制单元(10)和分别连接至所述控制单元(10)的至少一个修调单元(20)；

所述控制单元(10)用于给每个修调单元(20)发送一组修调信号；每个修调单元(20)用于接收一组修调信号并根据所述的一组修调信号永久性的输出一组逻辑信号，所述的一组逻辑信号用于对一个参数进行修调控制；

其中，所述控制单元(10)包括依次连接的测试电路(11)、串并行转换电路(12)、电平转换电路(13)；

所述测试电路(11)用于在接收到测试使能信号后进入测试模式并接收串行修调控制信号；所述串并行转换电路(12)用于将所述串行修调控制信号转换为并行修调控制信号；所述电平转换电路(13)用于将该并行修调控制信号进行电压转换得到所述的一组修调信号；

其中，所述的一组修调信号包括多个修调位信号，每个修调单元(20)包括数量与所述多个修调位信号对应的多个开关电路(21)和多个修调位执行电路(22)；每个所述开关电路(21)分别连接至所述控制单元(10)，每个所述修调位执行电路(22)连接至对应的开关电路(21)；

所述开关电路(21)用于获取对应的修调位信号并根据该修调位信号实现导通或关闭；所述修调位执行电路(22)用于在所述开关电路(21)首次导通前输出代表不进行位修调的电平信号、在所述开关电路(21)首次导通后永久性的输出代表进行位修调的电平信号，一个修调单元(20)内的所有的修调位执行电路(22)输出的电平信号组合形成所述的一组逻辑信号；

其中，所述修调位执行电路(22)包括：低压PMOS管(M2)、两个开关器件、下拉电阻(R1)、比较器(U1)；

所述低压PMOS管(M2)的栅极通过所述开关电路(21)连接至芯片内部高压电源，所述低压PMOS管(M2)的栅极还通过下拉电阻(R1)连接至比较器(U1)的反相输入端，且该反相输入端还通过一个开关器件连接至芯片内部低压电源，所述比较器(U1)的同相输入端接收预设比较电压，所述比较器(U1)的输出端用于输出所述电平信号，所述低压PMOS管(M2)的漏极和源极连接后通过另一个开关器件连接至芯片内部接地点。

2.根据权利要求1所述的芯片参数修调电路，其特征在于，所述两个开关器件包括MOS管或三极管。

3.根据权利要求1所述的芯片参数修调电路，其特征在于，所述开关电路(21)包括MOS管或三极管。

4.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的芯片参数修调电路。

5.一种基于权利要求1所述的芯片参数修调电路的芯片参数修调方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、控制单元(10)给每个修调单元(20)发送一组修调信号；

S2、每个修调单元(20)接收一组修调信号并根据所述的一组修调信号永久性的输出一组逻辑信号，所述的一组逻辑信号用于对一个参数进行修调控制；

其中，所述控制单元(10)包括测试电路(11)、串并行转换电路(12)、电平转换电路(13)；所述的一组修调信号包括多个修调位信号，每个修调单元(20)包括数量与所述多个修调位信号对应的多个开关电路(21)和多个修调位执行电路(22)；

所述步骤S1包括如下步骤：

S11、测试电路(11)在接收到测试使能信号后进入测试模式并接收串行修调控制信号；

S12、串并行转换电路(12)将所述串行修调控制信号转换为并行修调控制信号；

S13、电平转换电路(13)将该并行修调控制信号进行电压转换得到所述的一组修调信号；

所述步骤S2包括如下步骤：

S21、开关电路(21)获取对应的修调位信号并根据该修调位信号实现导通或关闭；

S22、修调位执行电路(22)在所述开关电路(21)首次导通前输出代表不进行位修调的电平信号、在所述开关电路(21)首次导通后永久性的输出代表进行位修调的电平信号；

S23、一个修调单元(20)内的所有的修调位执行电路(22)输出的电平信号组合形成所述的一组逻辑信号；

其中，所述修调位执行电路(22)包括低压PMOS管(M2)和比较器(U1)，在所述步骤S22中，

在所述开关电路(21)首次导通前，所述低压PMOS管(M2)的栅氧将所述低压PMOS管(M2)的栅极与源极、漏极隔离，所述比较器(U1)的反相输入端连接至芯片内部低压电源，所述比较器(U1)输出代表不进行位修调的低电平信号；

在所述开关电路(21)首次导通后，所述低压PMOS管(M2)的栅极经由所述开关电路(21)连接至内部高压电源，所述低压PMOS管(M2)的栅氧在所述内部高压电源的作用下被击穿且不可恢复，所述比较器(U1)的反相输入端经所述PMOS管(M2)接地，所述比较器(U1)输出代表进行位修调的高电平信号。