[发明专利]倒装芯片电路装置和用于制造倒装芯片电路装置的方法

权利要求书

1.一种倒装芯片电路装置(3)，其至少具有：

具有第一表面(6)和构造在所述第一表面(6)中的至少一个凹槽结构(7)的电路载体(1)，所述至少一个凹槽结构具有下盖面(7.2)，其中，在所述凹槽结构(7)中构造有接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)，

装配在所述电路载体(1)上的、具有至少一个接触位置(5)的半导体构件(2)，接触单元(9.1，9.2，9.3，9.4)施加在所述至少一个接触位置上，

其中，所述接触单元(9.1，9.2，9.3，9.4)贴靠所述接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)以便构造电连接，

其特征在于，

所述接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)至少部分地构造在所述凹槽结构(7)的壳面(7.1)上，其中，所述壳面(7.1)构造在所述第一表面(6)和所述凹槽结构(7)的下盖面(7.2)之间。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片电路装置(3)，其特征在于，所述壳面(7.1)直接从所述第一表面(6)出发。

3.根据权利要求2所述的倒装芯片电路装置(3)，其特征在于，所述壳面(7.1)从所述第一表面(6)出发朝所述盖面(7.2)逐渐缩细。

4.根据权利要求3所述的倒装芯片电路装置(3)，其特征在于，所述壳面(7.1)相对于所述第一表面(6)倾斜或者成阶梯形以便构成金字塔形、漏斗形或梯级形的凹槽结构(7)。

5.根据以上权利要求中任一项所述的倒装芯片电路装置(3)，其特征在于，在所述电路载体(1)的所述第一表面(6)和所述半导体构件(2)的第二表面(4)之间设置有粘接剂(14)，以便在所述电路载体(1)和所述半导体构件(2)之间构成机械连接。

6.根据以上权利要求中任一项所述的倒装芯片电路装置(3)，其特征在于，所述接触单元(9.1，9.2，9.3，9.4)在所述接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)的区域中至少部分地位于所述第一表面(6)之下并且伸入到所述电路载体(1)中。

7.根据以上权利要求中任一项所述的倒装芯片电路装置(3)，其特征在于，所述第一表面(6)优选在注塑的电路载体(1)中三维地延伸。

8.一种用于制造倒装芯片电路装置(3)的方法，其具有至少以下的步骤：

制造或提供具有第一表面(6)的电路载体(1)以及具有构造在其上的至少一个接触位置(5)的半导体构件(2)(St0)，

构造至少一个从所述第一表面(6)出发伸入到所述电路载体(1)中的、具有相对于所述第一表面(6)逐渐缩细的壳面(7.1)的凹槽结构(7)(St1)，

施加接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)到所述至少一个壳面(7.1)上(St2)，

施加与所述接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)对应的接触单元(9.1，9.2，9.3，9.4)到所述接触位置(6)上(St2.1)，

挤压所述半导体构件(2)与所述电路载体(1)，以便在所述接通面(8.1，8.2，8.3，8.4)和所述接触单元(9.1，9.2，9.3，9.4)之间构造电连接(St3)，

施加粘结剂(14)并使之硬化，以便在所述半导体构件(2)和所述电路载体(1)之间建立机械连接(St4)。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，通过球形键合施加所述接触单元(9.1，9.2，9.3，9.4)以便构成钉头凸点。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，已经在制造所述电路载体(1)时构造所述凹槽结构(7)，例如借助于相应的注塑工具。

11.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，通过材料侵蚀——例如通过激光烧蚀构造所述凹槽结构(7)。

12.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，通过改型、例如借助于压印凸模制造所述凹槽结构(7)。

13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，其特征在于，径向对称地——例如金字塔形地、漏斗形地或者梯级形地构造所述凹槽结构(7)，并且所述壳面(7.1)朝盖面(7.2)逐渐缩细。