[发明专利]EUV用防尘薄膜组件、使用其的EUV用组合体以及组合方法

说明书

本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，使用其的EUV用组合体以及其组合方法。本发明的EUV用防尘薄膜组件为由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件。网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上被投影为2种的影像。本发明的其特征在于，将间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比减小至25％以下，并且，这种间隔值，以设定为0.3mm～1.0mm的范围内为优选。

技术领域

本发明涉及极端紫外线(EUV：Extreme Ultra Violet)用防尘薄膜组件(以下，称“EUV用防尘薄膜组件”)，本发明进一步涉及减小了投影在晶片的网格结构体的影像的浓淡对比度的EUV用防尘薄膜组件。

背景技术

现在，半导体装置的高集成化，细微化正在进展，45nm左右的图案化也已经实用化。对于该图案化，可以用以往的用准分子光的技术，即，使用ArF的液浸法以及二重曝光等的技术来对应。但是，对下一代的更细微化的32nm以下的图案化，应用准分子光的曝光技术就难以对应了，用与准分子光相比极短波长的以13.5nm为主波长的EUV光的EUV曝光技术被认为是今后的主流。

进一步，关于该EUV曝光技术的实用化，虽然已经具有相当的进展，但是光源，光刻胶以及防尘薄膜组件，还有很多要解决的技术的课题。例如，关于将决定制造成品率的高低的来防止光掩模上异物附着的防尘用防尘薄膜组件，还有种种要解决的问题，这成了EUV用防尘薄膜组件的实现上的障碍。另外，特别是，防尘薄膜的材料要不仅EUV光的透过率要高，还要没有由于氧化等造成的随时间的变化以及具有化学安定行，但是该种材料的开发还没有头绪。

以往的EUV用防尘薄膜的材料中有种种问题，特别是，在有机材料中，具有不透EUV光，分解老化的问题。现在，对EUV光的波长带具有完全的透明性的材料还不存在，例如在下述的专利文献1以及非专利文献1中，记载了作为比较透明的材料的硅薄膜。

这些硅的薄膜，从使EUV光的衰减减少的观点，优选尽量薄的，但是另一方面，这些硅的薄膜，由于是厚度20nm的硅15nm的碳酸铷构成的纳米级的极薄薄膜，强度非常小，由此,有不能单独作为EUV用防尘薄膜来使用的问题。

为了对该问题加以解决，有人提议将有对该极薄膜进行补强作用的蜂窝形状的结构物和硅的薄膜一体化。例如在专利文献2中，提议了具有对使用SOI(Silicon OnInsulator)的EUV用防尘薄膜有补强作用的蜂窝结构的网格结构体。

作为该补强用的网格结构体，在蜂窝形状以外，还有正方形或长方形形状，或圆形以及角形等的，另外配置有具有任意的形状的开口部的板状体等，只要能达到目的，什么形状都可以使用。进一步，强度，根据网目的间隔，网目的边宽，网目的边的高度来进行决定，间隔越窄，边宽越大，边越高，强度越大。

但是，这种补强用的网格结构体，由于不透EUV光，所以在使用这种补强用的网格结构体的场合，有必要设置可以透过EUV光的开口部。而且，为了将透过EUV用防尘薄膜组件的EUV光的衰减压到最小，这种网格结构体的开口率必须提高，但是，如提高强度，网格结构体的开口率就会降低，所以使用网格结构体进行的补强和透过率处于二律背反(你增我减、我增你减)的关系，所以就必须设计符合使用时的条件以及制约的EUV用防尘薄膜组件。

为了用这样的用网格结构体补强的EUV用防尘薄膜组件，保护掩模的图案部不受外部的灰尘以及粒子的侵害，可以使用如图10所示的那样的EUV曝光机。在这种EUV曝光机中，分段机内的光源的1发出的EUV光，被作为照明光从与由防尘薄膜组件2和掩模3的掩模的掩模图案面的垂线构成4－8°的角度的方向入射，通过防尘薄膜组件2到达掩模3。这种到达掩模3EUV光，被掩模3反射，再一次通过防尘薄膜组件2，进入光学系统4，在晶片5上成像。