[发明专利]具有提供偏移互连的接口的堆叠式存储器

说明书

描述具有提供偏移互连的接口的堆叠式存储器的操作的动态操作。存储器装置的实施例包括系统元件和与所述系统元件耦合的存储器堆栈，所述存储器堆栈包括一个或多个存储器裸晶层。每个存储器裸晶层包括第一面和第二面，每个存储器裸晶层的第二面包括用于将存储器裸晶层的数据接口引脚与耦合的元件的第一面的数据接口引脚耦合的接口。每个存储器裸晶层的接口可包括提供存储器裸晶层的数据接口引脚中的每个与耦合的元件的数据接口引脚中的对应的数据接口引脚之间的偏移的连接。

技术领域

本发明的实施例一般涉及电子装置的领域，并且更具体的，涉及具有提供偏移互连的接口的堆叠式存储器。

背景技术

为了提供具有附加密度的存储器用于各种计算操作，开发了具有多个紧密耦合的存储器元件（其可被称为3D堆叠式存储器，或堆叠式存储器）的存储器装置。

发明内容

3D堆叠式存储器可包括DRAM（动态随机存取存储器）存储器元件的耦合层或封装，其可被称为存储器堆栈。堆叠式存储器可用于在单个装置或封装中提供大量计算机存储器，其中所述装置或封装还可包括系统组件，例如存储器控制器和CPU（中央处理单元）或其它系统元件。

然而，虽然存储器元件的附加层可以添加到堆叠式存储器装置，但是这样的存储器的操作由存储器结构限制。特别地，存储器裸晶层的添加增加了存储器的量，但是不改变存储器装置的带宽。由于这个原因，堆叠式存储器装置可在带宽中受限，或可能要求以下设计：即使许多实现不要求这个存储器的量，仍提供最大数量的存储器层的足够带宽。

附图说明

在附图中通过示例的方式而不是通过限制的方式来图示本发明的实施例，附图中类似的附图标记指类似元素。

图1图示3D堆叠式存储器的实施例；

图2图示堆叠式存储器装置的实施例的数据路径的路由；

图3是堆叠式存储器装置中的存储器裸晶的实施例的接口的图示；

图4图示包括用添加存储器裸晶层来扩展带宽的路由的堆叠式存储器装置的实施例；

图5图示具有附加存储器裸晶层的存储器装置的实施例的数据路径的路由；以及

图6是图示包括堆叠式存储器装置的设备或系统的实施例的框图。

具体实施方式

本发明的实施例一般指向具有提供偏移互连的接口的堆叠式存储器。

如本文使用的：

“3D堆叠式存储器”（其中3D指示3维）或“堆叠式存储器”指包括一个或多个耦合的存储器裸晶层、存储器封装或其它存储器元件的计算机存储器。存储器可垂直堆叠或水平（例如并排）堆叠，或以别的方式包括耦合在一起的存储器元件。特别地，堆叠式存储器DRAM装置或系统可包括具有多个DRAM裸晶层的存储器装置。堆叠式存储器装置还可包括装置中的系统元件，其可在本文中称为系统层或元件，其中系统层可包括例如CPU（中央处理单元）、存储器控制器和其它有关系统元件的元件。系统层可包括芯片上系统（SoC）。

在一些实施例中，设备、系统和方法提供用于具有提供偏移互连的接口的堆叠式存储器。在一些实施例中，设备、系统和方法提供用于堆叠式存储器中的带宽的缩放。在一些实施例中，具有系统层和一个或多个存储器裸晶层（每个包括接口）的堆叠式存储器装置可提供用于层之间的偏移或交错接口连接以便相对于堆叠式存储器的下一层的信号路径来偏移每个层的信号路径。在一些实施例中，堆叠式存储器包括多个信道，其中每个裸晶层可驱动堆叠式存储器的信道中的一个或多个。在一个实现中，具有4个裸晶层的堆叠式存储器装置包括16个信道，其中每个裸晶层驱动16个信道中的4个。