[发明专利]一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法在审
申请号: | 201510029391.4 | 申请日: | 2015-01-21 |
公开(公告)号: | CN104593723A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 柳存定;李斌成;孔明东;郭春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/26;G02B1/10 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 610209*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 蒸发 制备 alf3 薄膜 深紫 以及 真空 紫外 波段 时效性 方法 | ||
1.一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法,其特征在于实现步骤如下:
步骤(1)、在高真空镀膜机中利用电阻加热蒸发方法蒸发AlF3制备AlF3薄膜,电阻加热蒸发通过加热金属坩埚实现,金属坩埚由钨、钼或者钽材料制备;
步骤(2)、以AlF3作为低折射率材料,以其他氟化物作为高折射率材料制备具有特定性能的光学膜系,AlF3与高折射率材料的厚度通过计算机优化确定,薄膜厚度可以通过石英晶体振荡光学控制方法控制;
步骤(3)、在膜系表面沉积特定厚度膜层MgF2,提高AlF3薄膜深紫外波段的时效性,所需的MgF2材料的厚度在30nm以上。
2.根据权利要求1所述的一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法,其特征在于:可以将靠近表面的至少一层AlF3膜层转换为MgF2膜层,并通过计算机优化MgF2薄膜厚度实现。
3.根据权利要求1所述的一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法,其特征在于:在深紫外波段可以利用SiO2膜层替代MgF2膜层提高以AlF3为低折射率材料的膜系的时效性。
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