[发明专利]抑制银凝聚的双源金属共沉积方法在审
| 申请号： | 201510029606.2 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104593725A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 吕晶;梁雄;赖发春;林丽梅;刘美梅;王颖;赖国忠 | 申请（专利权）人： | 龙岩学院 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 364000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 凝聚 金属 沉积 方法 | ||
【权利要求书】：
1.抑制银凝聚的双源金属共沉积方法，其特征在于具有如下步骤：
（一）添加金属材料选择：铝、金、铜、镁、钛或铟；
（二）基片选择：如果膜正反两面反射都要应用或要应用背面反射，选择透明材料；如果只用膜表面反射，各种基片都可以；
（三）膜制备温度和使用温度，高温条件制备、使用的，要选择耐高温材料；
（四）基片清洗：基片使用前必须认真清洗；
（五）沉积成膜要考虑：镀膜方式、基片温度、沉积方式、沉积真空度、两种金属材料比例及控制和薄膜厚度等；
（六）镀膜方式：可以选择电阻蒸发，电子束蒸发、磁控溅射等；
（七）基片温度：室温至300℃；
（八）沉积方式：双源金属共沉积，银和添加金属分别装在两个容器里共同沉积；
（九）沉积真空度：本底真空至少5×10-3Pa。
2.如权利要求1所述的抑制银凝聚的双源金属共沉积方法，其特征在于：第（八）步，采用电子束蒸发技术，就是把这两种材料分别各放入一个坩埚。
3.如权利要求1所述的抑制银凝聚的双源金属共沉积方法，其特征在于：第（八）步，采用热蒸发法镀膜，把这两种材料分别各放入一个蒸发舟里。
4.如权利要求1所述的抑制银凝聚的双源金属共沉积方法，其特征在于：第（八）步，采用磁控溅射就需要纯的金属靶材各一块放在靶上，然后共同沉积。
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