[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种包括半导体存储器单元的电子器件，所述半导体存储器单元包括：

在第一方向延伸的第一线；

在与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二线；

绝缘图案，其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的交点中的第一交点处；以及

可变电阻图案，其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的交点中的第二交点处；

其中，当由所述第一线中的中心第一线和所述第二线中的中心第二线限定的中心交点对应于坐标(0,0)时，所述第一交点位于第一虚拟线至第n+1虚拟线上，所述第n+1虚拟线具有多边形形状，在所述多边形形状中顶点对应于坐标(-(k-n),0)、(k-n,0)、(0,k-n)和(0,-(k-n))，其中k是自然数且n是在0至k-1范围内的整数。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述可变电阻图案的横截面形状和平面形状分别与所述绝缘图案的横截面形状和平面形状基本相同。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述绝缘图案包括在所述可变电阻图案中包括的材料，并且还包括造成所述材料的可变电阻特性丧失的杂质。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述绝缘图案包括基本满足化学计量比的金属的第一氧化物，所述可变电阻图案包括与所述化学计量比相比较缺少氧的所述金属的第二氧化物。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述半导体存储器单元还包括：绝缘层，其填充在所述绝缘图案和所述可变电阻图案之间的空间中，以及

所述绝缘图案和所述绝缘层包括相同的绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述第一线的数目是2k+1，所述第二线的数目是2k+1。

7.根据权利要求6所述的电子器件，其中，所述可变电阻图案中的第一可变电阻图案用作虚设存储单元，并且所述第一可变电阻图案耦接到：与位于所述第一虚拟线至第n+1虚拟线的顶点处的绝缘图案耦接的第一线和第二线。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述第一线的数目是2k+2，并且所述第二线的数目是2k+2，以及

其中，所述电子器件包括第一中心第一线和第二中心第一线以及第一中心第二线和第二中心第二线。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其中，当n等于或大于1时，所述可变电阻图案中的第一可变电阻图案用作虚设存储单元，并且所述第一可变电阻图案耦接到：与位于所述第一虚拟线至第n虚拟线的顶点处的绝缘图案耦接的第一线和第二线。

10.一种包括半导体存储器单元的电子器件，所述半导体存储器单元包括：

在第一方向延伸的第一线；

在与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二线；

绝缘图案，其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的交点中的第一交点处；以及

可变电阻图案，其插设在所述第一线和所述第二线之间且位于所述第一线和所述第二线的交点中的第二交点处；

其中，所述绝缘图案中的第一绝缘图案的数目是n，并且所述第一绝缘图案耦接到与所述可变电阻图案中的选中可变电阻图案耦接的第一线和第二线，其中n是自然数且是恒定的。

11.根据权利要求10所述的电子器件，其中，所述绝缘图案中的第二绝缘图案的数目与n不同，并且所述第二绝缘图案耦接到与所述可变电阻图案中的第一可变电阻图案耦接的第一线和第二线；以及；

其中，所述第一可变电阻图案用作虚设存储单元。

12.根据权利要求10所述的电子器件，其中，所述可变电阻图案的横截面形状和平面形状分别与所述绝缘图案的横截面形状和平面形状基本相同。