[发明专利]双功函数掩埋栅型晶体管、形成方法和包括其的电子器件

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

源极区和漏极区，其形成在衬底中且彼此分隔开；

沟槽，其形成在所述源极区和所述漏极区之间的所述衬底中；以及

掩埋栅电极，其被设置在所述沟槽中，

其中，所述掩埋栅电极包括：

下掩埋部分，其包括高功函数阻挡层和设置在所述高功函数阻挡层之上的第一低电阻率层，其中，所述高功函数阻挡层包括含铝氮化钛；以及

上掩埋部分，其包括低功函数阻挡层和设置在所述低功函数阻挡层之上的第二低电阻率层，其中，所述低功函数阻挡层被形成为包围所述第二低电阻率层的底部和侧壁，并且所述低功函数阻挡层和所述第二低电阻率层与所述源极区和所述漏极区重叠。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述高功函数阻挡层包括氮化钛铝TiAlN。

3.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述低功函数阻挡层包括无氟钨FFW。

4.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述低功函数阻挡层包括碳化钛TiC、碳化钛铝TiAlC或钛铝TiAl。

5.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一低电阻率层和所述第二低电阻率层包括含金属的材料，其电阻率分别比所述高功函数阻挡层和所述低功函数阻挡层的电阻率更低。

6.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一低电阻率层和所述第二低电阻率层包括钨。

7.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述下掩埋部分还包括：

阻挡增强层，其在所述高功函数阻挡层和所述第一低电阻率层之间。

8.如权利要求7所述的晶体管，其中，所述阻挡增强层包括氮化钛TiN，以及

其中，所述高功函数阻挡层包括氮化钛铝TiAlN。

9.一种晶体管，包括：

有源区，其包括鳍型区；

隔离层，其被凹陷以暴露所述鳍型区的上表面和侧壁；

源极区和漏极区，其形成在所述有源区中且彼此分隔开；

沟槽，其形成在所述源极区和所述漏极区之间的所述有源区中且延伸至所述隔离层；以及

掩埋栅电极，其被设置在所述沟槽中且覆盖所述鳍型区，

其中，所述掩埋栅电极包括：

下掩埋部分，其包括高功函数阻挡层和设置在所述高功函数阻挡层之上的第一低电阻率层，其中，所述高功函数阻挡层包括含铝氮化钛；以及

上掩埋部分，其包括设置在所述下掩埋部分之上且与所述源极区和所述漏极区重叠的低功函数阻挡层、和设置在所述低功函数阻挡层之上的第二低电阻率层。

10.如权利要求9所述的晶体管，还包括：

阻挡增强层，其在所述高功函数阻挡层和所述第一低电阻率层之间。

11.如权利要求10所述的晶体管，其中，所述高功函数阻挡层包括氮化钛铝TiAlN，并且所述阻挡增强层包括氮化钛TiN。

12.如权利要求9所述的晶体管，其中，所述低功函数阻挡层包括无氟钨FFW。

13.如权利要求9所述的晶体管，其中，所述低功函数阻挡层包括碳化钛TiC、碳化钛铝TiAlC或钛铝TiAl。

14.如权利要求9所述的晶体管，其中，所述第一低电阻率层和所述第二低电阻率层中的每个包括钨。