[发明专利]通过使用前馈侧馈以及测量单元再使用的改进度量

说明书

本申请是2009年7月16日递交的申请号为200980128500.0、发明名称为“通过使用前馈侧馈以及测量单元再使用的改进度量”的发明专利申请的分案申请。

对优先权的要求：本申请要求2008年7月21日提交的题目为“通过使用前馈侧馈以及测量单元再使用的改进度量(IMPROVED METROLOGY THROUGH USE OF FEED FORWARD FEED SIDEWAYS AND MEASUREMENT CELL RE-USE)”的美国临时专利申请No.61/082,451的优先权，本文通过引用将其全部内容并入本申请。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造领域。

背景技术

随着半导体器件的部件缩减到越来越小的尺寸，如今到了纳米级，改进度量(metrology)性能、生产率以及器件相关性(correlation)的能力变得非常重要。用于确定薄膜(film)、临界尺寸(CD)以及叠对(overlap)度量的旧式方法包括不同目标上的薄膜、CD和叠对的独立度量，而不依赖于度量范例(paradigms)间的数据和采样的共性。与这些较旧的方法关联的不足之处包括：由于需要浮点型(float)多参数，需要占据大量的刻划空间(scribe space)；使移动、获取以及测量(MAM)的时间变慢；以及建模性能受限。

正是在本文的上下文中提出了本发明的实施方案。

发明内容

本发明提供一种用于在半导体器件制造期间进行度量的方法，所述方法包括：a)在第一测试单元上建模第一测量，所述第一测试单元形成在部分已制造的器件的层中；b)在所述层中的第二测试单元上执行第二测量；c)将来自所述第二测量的信息馈送到所述第一测量的所述建模中；以及在光刻图形已经在具有所述第一和第二测试单元的所述层上形成后，d)使用分别来自a)和b)的信息在所述第一和第二测试单元上分别建模第三和第四测量。

其中，a)包括在形成于所述部分已制造的器件的所述层中的所述第一测试单元上，建模临界尺寸度量测量的步骤。

其中，b)包括在所述层中的所述第二测试单元上执行薄膜度量测量的步骤。

其中，c)包括将来自所述第二测量的所述信息侧馈到所述第一测量的所述建模中的步骤。

其中，d)包括建模针对叠对度量的第三测量的步骤。

其中，d)包括建模针对临界尺寸度量的第四测量的步骤。

其中，d)包括前馈所述第一测试单元上的所述第一测量来在所述第一测试单元上建模所述第三测量的步骤。

其中，d)包括前馈所述第二测试单元上的所述第二测量来在所述第二测试单元上建模所述第四测量的步骤。

其中，d)包括侧馈所述第二测试单元上的所述第四测量来在所述第一测试单元上建模所述第三测量的步骤。

其中，所述方法还包括：e)在蚀刻已经在所述层上进行后，在所述层中的所述第二测试单元上建模第五测量；f)在所述层中的第三测试单元上执行第六测量；g)将来自所述第六测量的信息馈送到所述第五测量的所述建模中；以及在第二光刻图形已经在具有所述第一、第二、第三测试单元的所述层上形成后，H)使用分别来自f)和g)的信息在所述第二和第三测试单元上分别建模第七和第八测量。

其中，e)包括在所述第二测试单元上建模临界尺寸度量测量的步骤。

其中，f)包括在所述第三测试单元上执行薄膜度量测量的步骤。

其中，g)包括将来自所述第六测量的信息侧馈到所述第五测量的所述建模中。

其中，所述第七测量为叠对度量测量。

其中，所述第八测量为临界尺寸度量测量。

其中，h)包括前馈所述第二测试单元上的所述第五测量来在所述第二测试单元上建模所述第七测量的步骤。

其中，h)包括前馈所述第三测试单元上的所述第六测量来在所述第三测试单元上建模所述第八测量的步骤。

其中，h)包括侧馈所述第三测试单元上的所述第八测量侧来在所述第二测试单元上建模所述第七测量的步骤。

其中，所述方法还包括使用来自所述第六测量的信息在所述层中的第四测试单元上建模第九测量的步骤。

其中，所述第三测试单元包括成像目标。

其中，在第四测试单元上建模第九测量包括前馈所述第三测试单元上的所述第六测量的步骤。