[发明专利]一种光电器件的电子阻挡层结构

权利要求书

1.一种光电器件的电子阻挡层结构，其特征在于：采用AlInGaN/InGaN超晶格结构生长，其中In组分≤10％,Al组分≤40％；在电子阻挡层中存在In和Al组分的渐变分布，In与Al组分的渐变规律相互独立，其中In组分的渐变发生在超晶格的AlInGaN或者InGaN中，或者这两处都存在渐变；In与Al组分的渐变规律具体是：

Al组分为凹形和凸形交替的脉冲形式，整体呈递减趋势；且In组分为凹形和凸形交替的脉冲形式，整体呈递增趋势；

或者

Al组分为线性递减，且In组分为凹形和凸形交替的脉冲形式，所有脉冲单元相同。

2.根据权利要求1所述的光电器件的电子阻挡层结构，其特征在于：所述AlInGaN/InGaN超晶格结构的电子阻挡层，超晶格的对数为1-300对。

3.根据权利要求1或2所述的光电器件的电子阻挡层结构，其特征在于：在电子阻挡层中，还掺入Mg形成P型掺杂，在层内Mg组分为单一比例或者存在渐变分布。

4.根据权利要求3所述的光电器件的电子阻挡层结构，其特征在于：Mg渐变分布的具体形式为线性递增或递减、阶梯形、凹形、凸形、抛物线形中的一种或者分阶段任意多种组合。