[发明专利]用作微电子相变存储器的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体及其制备方法

权利要求书

1.一种用作微电子相变存储器的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体，其特征在于，具有以下结构：

其中R¹，R²，R³，R⁴，R⁵均为氢原子。

2.一种制备如权利要求1所述用作微电子相变存储器的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将氨基吡啶于N₂保护下溶解在反应溶剂中，以700～2900转/分钟的速度低温搅拌，于该条件下加入烷基锂溶液，恢复到室温后继续搅拌2～6小时，反应结束后将Li配合物静置待用；

(2)将步骤(1)得到的Li配合物与反应溶剂混合，低温搅拌条件下将其滴加到二氯化锗的乙醚溶液中，二氯化锗的质量百分浓度为10～25％，以0.5～1.0℃/分钟速度升至室温，继续搅拌反应20～30小时；所述低温条件的温度为-78～0℃；

(3)反应结束后，将反应混合物过滤浓缩，所得滤渣用二氯甲烷提取，收集二氯甲烷溶液，-40～0℃低温结晶，得到所述的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述反应溶剂选自C₅H₁₂～C₈H₁₈直链、支链烷烃，芳香烃，醚类有机溶剂中的任意一种或其组合。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，烷基锂溶液选自甲基锂、正丁基锂、叔丁基锂的乙醚或者正己烷溶液，其浓度为1.0～1.8M。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，氨基吡啶与烷基锂的摩尔比为1.0:1.0～1.4。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，氨基吡啶锂盐与金属锗摩尔比为2.0:1.0～1.4。

7.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，反应混合物过滤浓缩的条件为：在20～60℃加压浓缩，压力为0.05～0.15MPa。

8.权利要求1所述的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前质体用于制备微电子相变存储器中薄膜的应用，其特征在于，采用CVD或ALD工艺制备金属薄膜、金属合金薄膜中的一种或其组合。