[发明专利]基准电压电路有效
申请号: | 201510032785.5 | 申请日: | 2015-01-22 |
公开(公告)号: | CN104808731B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 杉浦正一;富冈勉 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准电压电路 恒流电路 晶体管 基准电压 导电型 跟随器 级源 源极 温度特性 源极连接 源极输出 输出 | ||
提供一种基准电压电路,该基准电压电路能够输出温度特性好的基准电压。所述基准电压电路构成为具有:第一恒流电路;第一导电型的第一晶体管,其源极与第一恒流电路连接,作为第1级源极跟随器进行工作;第二恒流电路;以及第二导电型的第二晶体管,其栅极与第一晶体管的源极连接,源极与第二恒流电路连接,作为第2级源极跟随器进行工作,从第二晶体管的源极输出基准电压。
技术领域
本发明涉及输出温度特性好的基准电压的基准电压电路。
背景技术
对以往的基准电压电路进行说明。图6是示出以往的基准电压电路的电路图。
以往的基准电压电路具有NMOS耗尽型晶体管601、NMOS晶体管602、接地端子100、输出端子102以及电源端子101。
在以往的基准电压电路中,使NMOS耗尽型晶体管601的栅极和源极连接,使NMOS晶体管602的栅极和漏极连接,并将它们串联连接,将其连接点设为输出端子。
在以往的基准电压电路中,将NMOS耗尽型晶体管601作为恒流源,取得NMOS晶体管602产生的电压作为基准电压Vref。将NMOS耗尽型晶体管601的阈值电压的绝对值Vtnd与NMOS晶体管602的阈值电压Vtne之和作为基准电压Vref而输出(例如,参照专利文献1的图10)。
专利文献1:日本特开2005-134939号公报
然而,以往的基准电压电路存在如下课题:由于NMOS耗尽型晶体管601的阈值电压受到基于NMOS晶体管602的阈值电压的偏差的背栅电压的影响而发生变化,因此很难输出温度特性好的基准电压。并且,存在如下课题:在起动电源时,基准电压的上升速度较慢。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的,提供一种基准电压电路,该基准电压电路能够输出温度特性好的基准电压,并且起动较快。
为了解决以往的课题,本发明的基准电压电路为以下这样的结构。
所述基准电压电路构成为具有:第一恒流电路;第一导电型的第一晶体管,其源极与第一恒流电路连接,作为第1级源极跟随器进行工作;第二恒流电路;以及第二导电型的第二晶体管,其栅极与第一晶体管的源极连接,源极与第二恒流电路连接,作为第2级源极跟随器进行工作,从第二晶体管的源极输出基准电压。
发明效果
本发明的基准电压电路能够输出温度特性好的基准电压。并且,在起动电源时,能够使基准电压快速上升。
附图说明
图1是示出第一实施方式的基准电压电路的结构的电路图。
图2是示出第二实施方式的基准电压电路的结构的电路图。
图3是示出第三实施方式的基准电压电路的结构的电路图。
图4是示出第四实施方式的基准电压电路的结构的电路图。
图5是示出第五实施方式的基准电压电路的结构的电路图。
图6是示出以往的基准电压电路的结构的电路图。
标号说明
100:接地端子;101:电源端子;102:输出端子;103、104、401:恒流电路。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的实施方式进行说明。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式的基准电压电路的电路图。
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