[发明专利]分布反馈型半导体激光元件、分布反馈型半导体激光元件的制造方法

权利要求书

1.一种分布反馈型半导体激光元件，其特征在于，具有：

衬底；

活性层，其形成在所述衬底的上方；以及

衍射光栅，其具有第1图案以及比所述第1图案短且与所述第1图案的中央部相对的第2图案，对所述活性层产生的光进行衍射。

2.根据权利要求1所述的分布反馈型半导体激光元件，其特征在于，

所述第1图案的长度以及所述第2图案的长度为3～10μm中的某一个值。

3.一种分布反馈型半导体激光元件，其特征在于，具有：

衬底；

活性层，其形成在所述衬底的上方；以及

衍射光栅，其具有多个图案，对所述活性层产生的光进行衍射，

所述多个图案是分别通过将长度大于或等于2.5μm的点相连而形成的。

4.一种分布反馈型半导体激光元件的制造方法，其特征在于，

具有下述工序：

在衬底的上方形成衍射光栅层的工序；

在所述衍射光栅层的上方形成导电层的工序；

在所述导电层上形成阻绝层的工序；

向所述阻绝层照射电子束而对衍射光栅图案进行电子束光刻的工序；以及

以留下所述衍射光栅图案的正下方的所述衍射光栅层的方式，对所述衍射光栅层进行蚀刻而形成衍射光栅的工序。

5.根据权利要求4所述的分布反馈型半导体激光元件的制造方法，其特征在于，

具有下述工序，即，在形成所述衍射光栅层之后，形成所述导电层之前，在所述衍射光栅层上形成绝缘层的工序。

6.根据权利要求4或5所述的分布反馈型半导体激光元件的制造方法，其特征在于，

所述导电层将钨作为材料。

7.一种分布反馈型半导体激光元件的制造方法，其特征在于，

具有下述工序：

在衬底的上方形成衍射光栅层的工序；

在所述衍射光栅层上形成以直线状图案化后的绝缘层的工序；

在所述绝缘层和所述衍射光栅层上形成阻绝层的工序，使得所述阻绝层在所述绝缘层上的部分比在所述衍射光栅层上的部分薄；

向所述绝缘层上的所述阻绝层照射电子束而对衍射光栅图案进行电子束光刻的工序；以及

以留下所述衍射光栅图案的正下方的所述衍射光栅层的方式，对所述衍射光栅层进行蚀刻而形成衍射光栅的工序。