[发明专利]一种具有高开态电流的N型隧穿场效应晶体管

权利要求书

1.一种具有高开态电流的N型隧穿场效应晶体管，包括沟道区、源区、漏区、栅氧化层和栅极，沟道区生长在源区与漏区之间，所述沟道区夹在两个栅极之间，在所述沟道区和栅极之间还生长有栅氧化层，其特征在于，所述漏区、沟道区、源区由III-V族化合物半导体材料GaSbAs构成，所述栅氧化层由HfO₂形成；其中所述具有高开态电流的N型隧穿场效应晶体管由以下具体步骤制得：

(1)在厚度为50nm的半导体衬底上通过浅槽隔离定义有源区，形成衬底的材料为III-V族化合物GaSbAs；

(2)在半导体衬底的两侧生长厚度为2nm的栅极氧化层，形成氧化层的材料为二氧化铪(HfO₂)；

(3)接着光刻和刻蚀，形成上下两个栅极区域；

(4)光刻暴露出源区区域，以光刻胶为掩膜，刻蚀掉附着在源区上下两侧的氧化层，离子注入形成硼掺杂浓度为5×10¹⁹cm^-3的源区区域，不进行退火处理；

(5)光刻暴露出漏区区域，以光刻胶为掩膜，刻蚀掉附着在漏区上下两侧的氧化层，离子注入形成砷掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3的漏区区域，不进行退火处理；

(6)进行退火处理：600℃低温退火1小时，1000℃快速退火10秒；

(7)采用标准CMOS工艺完成器件的制作。

2.如权利要求1所述的一种具有高开态电流的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源区掺杂有浓度为5×10¹⁹cm^-3的硼；所述漏区掺杂有浓度为1×10¹⁸cm^-3的砷；所述沟道区没有掺杂杂质。

3.如权利要求1所述的一种具有高开态电流的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为2nm。