[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：显示区和非显示区，所述非显示区包括用于输出栅极驱动信号的非晶硅栅极区，其特征在于，

所述非晶硅栅极区包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器包括第一极板和第二极板，所述第二电容器包括第三极板和第四极板，还包括第三电容器，所述第三电容器由所述第二极板和所述第三极板构成，其中，所述第一极板与所述第三极板电连接，所述第二极板与所述第四极板电连接，并且，所述第一极板、所述第二极板、所述第三极板和所述第四极板中任意相邻的二者在所述阵列基板垂直方向上的投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板、所述第二极板、所述第三极板和所述第四极板在所述阵列基板垂直方向上的投影具有共同的重叠区域。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区包括栅电极层和源漏电极层，所述栅电极层包括栅极线，所述源漏电极层包括数据线，所述栅极线和所述数据线交叉设置，所述第一极板与所述栅极线同层设置，所述第二极板与所述数据线同层设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板接收所述栅极线的电位信号，所述第二极板接收所述数据线的电位信号。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述显示区的所述阵列基板上还包括公共电极与像素电极，所述第三极板与所述公共电极同层设置，所述第四极板与所述像素电极同层设置；或者，所述第三极板与所述像素电极同层设置，所述第四极板与所述公共电极同层设置。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板通过至少一个第一通孔与所述第三极板电连接，所述第二极板通过至少一个第二通孔与所述第四极板电连接，

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述非晶硅栅极区还包括：位于所述栅电极层和所述源漏电极层之间的栅极绝缘层、位于所述源漏电极层和所述第三极板之间的第一绝缘层、位于所述第三极板和所述第四极板之间的第二绝缘层，所述第一通孔贯穿所述栅极绝缘层和所述第一绝缘层，所述第二通孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质为氮化硅。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板上具有至少一个第一镂空区，所述第二极板上具有至少一个第二镂空区，所述第一镂空区和所述第一镂空区在所述阵列基板垂直方向上的投影至少部分重叠。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-9任一所述的阵列基板。

11.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区包括用于输出栅极驱动信号的非晶硅栅极区；

在所述基板的所述非晶硅栅极区形成第一极板；

在所述第一极板上形成栅极绝缘层；

在所述非晶硅栅极区的所述栅极绝缘层上形成第二极板；

在所述第二极板上形成第一绝缘层；

图案化所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层，在所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层上形成第一通孔以暴露所述第一极板；

在所述第一绝缘层上形成第三极板，所述第三极板通过所述第一通孔与所述第一极板电连接；

在所述第一绝缘层和所述第三极板上形成第二绝缘层；

图案化所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上形成第二通孔以暴露所述第二极板；

在所述第二绝缘层上形成第四极板，所述第四极板通过所述第二通孔与所述第二极板电连接，并且，

所述第一极板、所述第二极板、所述第三极板和所述第四极板中任意相邻的二者在所述阵列基板垂直方向上的投影至少部分重叠。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述基板的所述非晶硅栅极区形成第一极板的具体步骤包括：

在所述基板上形成栅电极层，图案化所述栅电极层，在所述显示区形成栅极线，在所述非显示区形成第一极板，所述第一极板上具有至少一个第一镂空区。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述非晶硅栅极区的所述栅极绝缘层上形成第二极板的具体步骤包括：

在所述栅极绝缘层上形成源漏电极层，图案化所述源漏电极层，在所述显示区形成数据线，在所述非晶硅栅极区形成第二极板，所述第二极板上具有至少一个第二镂空区，所述第二镂空区和所述第一镂空区在所述基板垂直方向上的投影至少部分重叠。