[发明专利]一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构在审
| 申请号： | 201510033858.2 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104617157A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人： | 应能微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 刘述生 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 深沟 瞬态 电压 抑制器 结构 | ||
1.一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括：一具有第一导电类型（P型或N型）的掺杂硅衬底，在所述掺杂硅衬底表面设置有一系列密排的超深沟槽。
2.如权利要求1所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述掺杂硅衬底的掺杂浓度为1E13/cm3到1E18/cm3。
3.如权利要求1所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述超深沟槽的间距为1到5微米。
4.如权利要求1所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述超深沟槽的开口为1到5微米。
5.如权利要求1至4任一权利要求所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述超深沟槽的高宽比为10:1到60:1。
6.如权利要求5所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述超深沟槽的深度为10微米到60微米。
7.如权利要求6所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述超深沟槽中填充有第二导电类型（N型或P型）的自掺杂多晶硅。
8.如权利要求7所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述自掺杂多晶硅的电阻率为0.002-0.020 Ohm.cm。
9.如权利要求1或8任一权利要求所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述超深沟槽上侧依次设置有图案化的介质层、金属层以及钝化层。
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