[发明专利]一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510033881.1 申请日: 2015-01-23
公开(公告)号: CN104616988B 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 朱伟东;赵泊然 申请(专利权)人: 应能微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329;H01L21/04
代理公司: 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 代理人: 刘述生
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 深沟 瞬态 电压 抑制器 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,包含如下制作步骤:

步骤一,在具有第一导电类型(P型或N型)的重掺杂硅衬底顶面生长一层具有第一导电类型(P型或N型)的掺杂外延层;

步骤二,在所述掺杂外延层顶面沉积一层二氧化硅硬掩膜,作为刻蚀超深沟槽的掩膜;

步骤三,对所述二氧化硅硬掩膜进行光刻,形成硬掩膜图案;

步骤四,对所述掺杂外延层和重掺杂硅衬底进行离子刻蚀,以形成贯穿掺杂外延层与重掺杂硅衬底接触的超深沟槽;

步骤五,将自掺杂生长的具有第二导电类型(N型或P型)的多晶硅填充在所述超深沟槽中;

步骤六,通过高温推进,将在所述具有第二导电类型的掺杂多晶硅与具有第一导电类型的重掺杂衬底间形成扩散PN结;

步骤七,生长介质层;

步骤八,生长金属层及刻蚀;

步骤九,生长钝化层及刻蚀。

2.如权利要求1所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,在所述步骤一中,所述重掺杂硅衬底的掺杂浓度为大于1E18/cm3。

3.如权利要求1所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,在所述步骤一中,所述掺杂外延层的掺杂浓度为1E13/cm3到1E18/cm3。

4.如权利要求1所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,在所述步骤一中,所述掺杂外延层的厚度为20-60微米。

5.如权利要求1所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,在所述步骤四中,所述超深沟槽的间距为1到5微米。

6.如权利要求1至5任一权利要求所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,在所述步骤四中,蚀刻出的超深沟槽的高宽比为10:1到60:1。

7.如权利要求6所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,在所述步骤四中,蚀刻出的超深沟槽开口为1-5微米。

8.如权利要求7所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,在所述步骤四中,蚀刻出的超深沟槽深度为10-60微米。

9.如权利要求8所述的具有超深沟槽的瞬态电压抑制器的制造方法,其特征在于,在所述步骤五中,所述自掺杂生长的具有第二导电类型的多晶硅的电阻率为0.002-0.020Ohm.cm。

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