[发明专利]背接触太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：

以一热扩散制程同时于一半导体基板的一背表面形成一第一掺杂区以及于该半导体基板的一受光面形成一第二掺杂区；

以一第一蚀刻制程移除该第二掺杂区；

以一第一离子布植制程对该背表面的一第一子区域进行掺杂以形成一背表面电场区；

于该第一蚀刻制程后以一第二蚀刻制程对已移除该第二掺杂区的该受光面进行再蚀刻以提高该受光面的抗反射率；以及

以一金属化制程于该背表面上形成互相分离的一第一电极及一第二电极，

其中该第一子区域之外的该第一掺杂区形成一射极区，且该第一电极与该第二电极分别于该射极区与该背表面电场区连接。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该第一离子布植制程为对该第一子区域内的该第一掺杂区进行高浓度掺杂，使该第一子区域的电性反转而形成该背表面电场区。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，于该第二蚀刻制程之后更包含一步骤：进行的一第二离子布植制程，于该半导体基板的该受光面形成一前表面电场区。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，于该第一离子布植制程之前更包含一步骤：以一第三蚀刻制程移除该第一子区域内的第一掺杂区。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，该第三蚀刻制程包含以雷射移除至少该第一子区域内的该第一掺杂区而形成一第一凹陷区。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，该射极区包含该第一凹陷区的一底面区但不包含该第一凹陷区的一侧壁区。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，该第三蚀刻制程的雷射移除区域大于该第一子区域。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，该射极区包含该第一凹陷区的一底面区的中心区域但不包含该第一凹陷区的一侧壁区且不包含与该底面区与该侧壁区邻接的外围区域。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，于该第二蚀刻制程之后更包含一步骤：进行一第二离子布植制程于该半导体基板的受光面形成一前表面电场区。

10.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，该第三蚀刻制程更包含形成一第一子遮罩层于该背表面上，并移除该第一子蚀刻遮罩层的一部分，该第二蚀刻制程更包含形成一第二子蚀刻遮罩层于该背表面上，而且以残留的该第一子蚀刻遮罩层和该第二子蚀刻遮罩层共同作为蚀刻该受光面时的蚀刻遮罩层。