[发明专利]半导体激光光源有效
| 申请号： | 201510035270.0 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104917047B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 山本修平;中村聪;池田一贵 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;龚晓娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 光源 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光光源，其具备：
半导体激光器，其具有输出激光的输出端；以及
底座，其接合所述半导体激光器，
所述底座具备底座基板、配置于所述底座基板的上侧的Au层、配置于所述Au层上面且在外周部至少在除了与所述半导体激光器的所述输出端侧对应的部分以外的部分具有向上方突出的壁部的阻隔层、以及配置于在所述阻隔层上面由所述壁部围起的区域中的焊料层，
所述半导体激光器与所述壁部的内表面隔开预先设定的间隔，同时通过所述焊料层以所述半导体激光器的所述输出端从所述焊料层的与所述输出端侧对应的端部向所述激光的输出方向突出的状态与所述底座接合，
所述壁部形成在所述阻隔层的外周部的整个外周。
2.根据权利要求1所述的半导体激光光源，其中，
在所述底座中，在与所述半导体激光器的所述输出端的一侧对应的侧面配置有Au膜。
3.根据权利要求1所述的半导体激光光源，其中，
所述底座基板由SiC构成，
所述半导体激光光源进一步具备配置于所述底座基板与所述Au层之间且由Ti层/Cu层/Ni层构成的中间层。
4.根据权利要求3所述的半导体激光光源，其中，在所述底座基板的下表面也配置有所述中间层。
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