[发明专利]半导体装置及半导体装置的电熔丝结构

说明书

提供了一种半导体装置和一种具有改善的熔丝性能以在低电压下能够进行编程操作的半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构包括：第一金属图案，形成在第一纵向上的水平面，第一金属图案包括沿第一方向延伸的第一部件、沿第一方向延伸并且布置成邻近于第一部件的第二部件以及邻近于第二部件的第三部件，第二部件位于第一部件和第三部件之间，第一部件和第二部件彼此电连接，第三部件与第二部件电断开连接；以及第二金属图案，电连接到第一金属图案，并形成在不同于第一纵向上的水平面的第二纵向上的水平面。

本申请要求于2014年3月19日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0032226号韩国专利申请的优先权和由该韩国专利申请产生的所有权益，并且还要求于2014年1月23日提交的第61/930,625号美国临时专利申请的优先权和由该美国临时专利申请产生的所有权益，所述韩国专利申请和美国临时专利申请中的每个的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种电熔丝结构，更具体地讲，涉及一种半导体装置的电熔丝结构。

背景技术

在半导体器件技术中，出于各种目的而使用熔丝。例如，为了提高芯片成品率，通常在修复工艺中使用存储装置的熔丝，在修复工艺中用冗余存储单元来替代坏的(有缺陷的)存储单元。作为其它示例，可以使用熔丝以在出厂(fab-out)后定制和/或优化芯片特性，可以使用熔丝来记录/识别芯片信息和/或制造历史。

熔丝可以被分为激光熔丝或电熔丝。激光熔丝被构造成通过利用激光来被选择性地编程(即，断开)，电熔丝被构造成通过利用电流来被选择性地编程。

发明内容

本公开提供了一种具有改善的熔丝性能以在低电压下能够进行编程操作的半导体装置的电熔丝结构。

将在下面的各个实施例的描述中描述本公开的上述和其它目的，或者本公开的上述和其它目的通过下面各个实施例的描述而清楚。

根据本发明的一个方面，一种包括电熔丝结构的半导体装置包括：基板；第一金属图案，形成在基板上方的第一纵向上的水平面；第二金属图案，形成在基板上方的比第一纵向上的水平面靠近于基板的第二纵向上的水平面；以及导电连通结构，将第一金属图案物理连接且电连接到第二金属图案。第一金属图案包括沿第一方向延伸的第一部件、沿第一方向延伸并邻近于第一部件的第二部件、将第一部件电连接且物理连接到第二部件的第三部件以及沿第一方向延伸并且邻近于第二部件但没有电连接到第一部件、第二部件或第三部件的第四部件，第二部件在第一部件和第四部件之间。

在一个实施例中，第一部件、第二部件和第四部件均大体上彼此平行。

在一个实施例中，导电连通结构将第一部件直接连接到第二金属图案。

在一个实施例中，第二部件被构造成比第一部件先断开。例如，第二部件在与第一方向垂直的方向上具有比第一部件小的宽度。

在一个实施例中，第一金属图案连接到电熔丝结构的阳极，第二金属图案连接到电熔丝结构的阴极。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体装置的电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：第一金属图案，形成在第一纵向上的水平面，第一金属图案包括沿第一方向延伸的第一部件、沿第一方向延伸并且布置成邻近于第一部件的第二部件以及邻近于第二部件的第三部件，第二部件位于第一部件和第三部件之间，第一部件和第二部件彼此电连接，第三部件与第二部件电断开连接；以及第二金属图案，电连接到第一金属图案，并形成在不同于第一纵向上的水平面的第二纵向上的水平面。

第一金属图案可以包括将第一部件物理连接且电连接到第二部件的第四部件。

在一个实施例中，第一部件、第四部件和第二部件彼此顺序地连接以形成U形结构。

第四部件的在U形的内部侧表面和U形的外部侧表面之间的宽度可以大于第二部件的在U形的内部侧表面和U形的外部侧表面之间的宽度。