[发明专利]输入偏移控制

权利要求书

1.一种控制输入偏移的电路，其包括：

第一输入电路，其经配置以在第一共模电压范围内操作且经配置以提供第一输入电流，所述第一输入电路还经配置以基于所述第一共模电压范围内的电压电平的变化而使所述第一输入电流变化；及

第二输入电路，其耦合到所述第一输入电路，所述第二输入电路经配置以在第二共模电压范围内操作且经配置以提供第二输入电流，所述第二输入电路还经配置以基于所述第二共模电压范围内的电压电平的变化而使所述第二输入电流变化，且所述第一输入电路及所述第二输入电路经进一步配置以分别响应于施加到所述第一输入电路及所述第二输入电路两者的共模电压的增加而分别减小及增加所述第一输入电流及所述第二输入电流；

其中所述输入偏移包括所述第一输入电路及所述第二输入电路的输入偏移电压的经加权平均值。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一输入电路包括：

第一差分晶体管对，其在所述第一共模电压范围中操作，所述第一差分晶体管对包括：

第一晶体管，其经配置以接收正输入电压，及

第二晶体管，其经配置以接收负输入电压，所述第一晶体管的源极端子耦合到所述第二晶体管的源极端子，且漏极端子耦合到所述第二输入电路的一对输出端子；及

第一电阻元件，其具有耦合到所述第一晶体管及所述第二晶体管的所述源极端子的第一端子，及耦合到供应电压源的第二端子。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第二输入电路包括：

第二差分晶体管对，其在所述第二共模电压范围中操作；及

电压电平移位电路，其介接于所述第一输入电路与所述第二差分晶体管对之间且经配置以产生所述第二输入电路的经电平移位的电压，所述经电平移位的电压是通过将所述共模电压的电压电平从所述第二共模电压范围移位到所述第一共模电压范围以产生电流而产生，所述所产生电流供应到所述第二差分晶体管对。

4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第二差分晶体管对包括：

第三晶体管，其经配置以接收正的经电平移位的电压；及

第四晶体管，其经配置以接收负的经电平移位的电压，所述第三晶体管的源极端子耦合到所述第四晶体管的源极端子，且漏极端子耦合到所述第二输入电路的所述对输出端子。

5.根据权利要求3所述的电路，其中所述电压电平移位电路包括：

至少一个第一电流路径及第二电流路径；及

至少一个电流镜电路，其配置于所述至少一个第一电流路径与所述第二电流路径之间，所述至少一个电流镜电路经配置以产生穿过所述至少一个第一电流路径及所述第二电流路径的实质上相同电流，其中所述第二电流路径中的电流促进跨越所述第二差分晶体管对提供所述经电平移位的电压。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述至少一个第一电流路径中的第一电流路径包括：

n型金属氧化物半导体NMOS晶体管，其具有耦合到所述至少一个电流镜电路的漏极端子；及

第二电阻元件，其耦合于所述NMOS晶体管的源极端子与接地端子之间。

7.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管包括p型金属氧化物半导体PMOS晶体管。

8.根据权利要求4所述的电路，其进一步包括：

第三电阻元件，其耦合于所述第三晶体管的漏极端子与接地端子之间；及

第四电阻元件，其耦合于所述第四晶体管的漏极端子与所述接地端子之间。