[发明专利]一种自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510035981.8 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104562097B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 胡星;蔡抒枫;凌志远 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25D1/00 | 分类号： | C25D1/00;C25D3/12;C25D11/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对铝材进行去油、表面清洗；所述铝材为99.9％纯铝或铝合金；
(2)以步骤(1)得到的铝材为阳极，以铝或钛为阴极，在1％～10％草酸电解液中通过电压源对铝进行恒压阳极氧化，电解液温度为0～30℃，阳极氧化电压为25～55V，时间10分钟～48小时，获得具有直孔通道的阳极氧化铝膜；所述阳极氧化铝膜具有肖特基势垒；
(3)将步骤(2)中获得的阳极氧化铝膜在1％～10％磷酸中浸泡5～60分钟，温度为20～50℃；
(4)将步骤(3)中获得的阳极氧化铝膜置于镍盐溶液中进行电沉积镍，使镍填充满阳极氧化铝的直孔通道并在阳极氧化铝膜表面形成一层致密连续的镍支撑层；
(5)通过化学腐蚀法去除阳极氧化铝和铝获得自支撑镍纳米线阵列膜。
2.根据权利要求1所述的自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述镍盐溶液的配方为：295～522g/L氨基磺酸镍，5～30g/L氯化镍，30～45g/L硼酸。
3.根据权利要求2所述的自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述电沉积镍，具体为：
以铝材为阳极，镍块为阴极，电铸电压在30～3600秒内从-1V下降到-1.6～-2.8V，并保持10～180分钟。
4.根据权利要求1所述的自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述去油，具体为：
使用140g/L～160g/L硫酸溶液进行去油。
5.根据权利要求1所述的自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述表面清洗，具体为：
使用10～20g/L氢氧化钠或碳酸钠进行表面清洗。
6.根据权利要求1所述的自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)得到的阳极氧化铝膜厚度为1～100微米。
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