[发明专利]一种利用溶液法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池中无镉缓冲层的新技术无效
| 申请号： | 201510036465.7 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104576837A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘德昂;谢承智;钱磊 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞晟纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 溶液 法制 备铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 中无镉 缓冲 新技术 | ||
1.本专利提出一种新的制备CIGS薄膜太阳能电池中无镉缓冲层的技术：即用简单的溶液涂布法制备硫化铟(In2S3)薄膜作为缓冲层。先把In2S3粉末和硫粉共同溶解在联氨溶剂中，用喷涂/旋涂/刮涂/辊涂等溶液涂布方法在CIGS吸收层上，加热退火后就得到致密的In2S3缓冲层，从而得到高效的CIGS薄膜太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的利用溶液法的制备CIGS薄膜太阳能电池中无镉缓冲层In2S3的技术，其特征在于，使用联氨作为作为溶剂，把In2S3粉末和硫粉共同溶解在联氨溶剂中。溶液中In2S3的摩尔浓度是0.01-1M，硫的摩尔浓度是0-5M，溶液中实际的摩尔浓度根据所采用的涂布方法的实际需要来确定。
3.根据权利要求1所述的利用溶液法的制备CIGS薄膜太阳能电池中无镉缓冲层In2S3的技术，其特征在于，利用涂布法把溶解有In2S3和硫粉的联氨溶液均匀的涂敷到CIGS吸收层上，喷涂/旋涂/刮涂/辊涂等溶液涂布方法都包含在内。
4.根据权利要求1所述的利用溶液法的制备CIGS薄膜太阳能电池中无镉缓冲层In2S3的技术，其特征在于，利用涂布法把溶解有In2S3和硫粉的联氨溶液均匀的涂敷到CIGS吸收层上，之后在空气或者惰性气氛下进行退火，退火温度为50-600摄氏度。
5.根据权利要求1所述的利用溶液法的制备CIGS薄膜太阳能电池中无镉缓冲层In2S3的技术，其特征在于，利用涂布法把溶解有In2S3和硫粉的联氨溶液均匀的涂敷到CIGS吸收层上，之后在空气或者惰性气氛下进行退火。得到In2S3缓冲层的厚度在20-200nm之间。
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