[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

存储单元的阵列，至少一个所述存储单元包括：

多个晶体管，具有垂直栅极全包围结构；

多个有源块，一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极，

其中，任何两个相邻的存储单元中的所述有源块相互隔离；

第一栅极板，作为所述多个晶体管中的晶体管的栅极；以及

第一存储节点，电连接至所述多个有源块中的第一有源块和第二有源块，并且所述第一存储节点具有的顶面与所述第一栅极板的顶面平齐。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，至少一个所述晶体管包括：

底部电极，通过所述一个有源块的一部分形成，所述一个有源块的一部分用作所述晶体管的源极和漏极中的一个；

顶部电极，用作所述源极和所述漏极中的另一个；

沟道杆，设置在所述底部电极和所述顶部电极之间并连接至所述底部电极和所述顶部电极；

栅极绝缘体，环绕所述沟道杆；以及

栅极，环绕所述沟道杆和所述栅极绝缘体。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述有源块包括所述第一有源块、所述第二有源块、第三有源块和第四有源块，至少一个所述存储单元的晶体管包括：

第一晶体管，电连接所述存储单元的字线和第一位线；

第二晶体管，所述第一晶体管的底部电极和所述第二晶体管的底部电极形成所述第一有源块；

第三晶体管，所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极形成第一栅极板，以及所述第三晶体管的底部电极是所述第二有源块的一部分；

第四晶体管，所述第四晶体管的底部电极是所述第三有源块的一部分；

第五晶体管，所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极形成第二栅极板；以及

第六晶体管，电连接至所述字线和第二位线，所述第五晶体管的底部电极和所述第六晶体管的底部电极形成所述第四有源块。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述第二晶体管的顶部电极和所述第五晶体管的顶部电极电连接至CVss，并且所述第三晶体管的顶部电极和所述第四晶体管的顶部电极电连接至CVdd；或者所述第二晶体管的顶部电极和所述第五晶体管的顶部电极电连接至所述CVdd，并且所述第三晶体管的顶部电极和所述第四晶体管的顶部电极电连接至所述CVss。

5.根据权利要求3所述的存储器件，其中，至少一个所述存储单元还包括：

所述第一存储节点，部分设置在所述第一栅极板和所述第二栅极板之间；以及

第二存储节点，部分设置在所述第一栅极板和所述第二栅极板之间，并且电连接至所述第三有源块和所述第四有源块。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，在所述第一栅极板和所述第二栅极板之间形成第一间隙，并且在分别设置在相邻的两个存储单元中的两个所述第一栅极板之间形成第二间隙，所述第一间隙具有大于所述第二间隙的距离。

7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，至少一个所述存储单元还包括：

第一连接结构，连接至所述第一存储节点和所述第二栅极板；以及

第二连接结构，连接至所述第二存储节点和所述第一栅极板。

8.根据权利要求3所述的存储器件，其中，至少一个所述存储单元还包括：

所述第一存储节点，设置在所述第二栅极板和所述第一晶体管的栅极之间；以及

第二存储节点，设置在所述第一栅极板和所述第六晶体管的栅极之间，并且电连接至所述第三有源块和所述第四有源块。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，至少一个所述存储单元还包括：

第一连接结构，连接至所述第一存储节点和所述第二栅极板；以及

第二连接结构，连接至所述第二存储节点和所述第一栅极板。

10.根据权利要求3所述的存储器件，其中，至少一个所述存储单元还包括两个第一阱和设置在所述两个第一阱之间的第二阱，所述第一阱的的掺杂物不同于所述第二阱的掺杂物，所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在所述第一阱中的一个上，所述第三晶体管和所述第四晶体管设置在所述第二阱上，以及所述第五晶体管和所述第六晶体管设置在所述第一阱中的另一个上。