[发明专利]增强模式器件在审
| 申请号： | 201510038689.1 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104810388A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | M·施特拉斯堡;G·普雷科托 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 模式 器件 | ||
1.一种增强模式器件，包括：
浮动栅极结构，所述浮动栅极结构包括：
第一底部介电层；
第二底部介电层，其在所述第一底部介电层上；以及
导电浮动栅极，其在所述第二底部介电层上。
2.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述第一底部介电层被布置在有源半导体区上。
3.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述第一底部介电层和所述第二底部介电层包括不同的带隙能量。
4.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述第一底部介电层的带隙能量大于所述第二底部介电层的带隙能量。
5.如权利要求1所述的增强模式器件，进一步包括
至少一个另外的底部介电层，其被布置在所述第二底部介电层和所述导电浮动栅极之间。
6.如权利要求1所述的增强模式器件，进一步包括
至少一个绝缘层，其被布置在所述导电浮动栅极上。
7.如权利要求6所述的增强模式器件，进一步包括
控制栅极，其被布置在所述绝缘层上。
8.如权利要求6所述的增强模式器件，
其中所述绝缘层至少包括第一顶部介电层和第二顶部介电层，所述第一顶部介电层和所述第二顶部介电层具有不同带隙能量。
9.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述导电浮动栅极被封装。
10.如权利要求9所述的增强模式器件，
其中所述导电浮动栅极由所述第一底部介电层和所述第二底部介电层进行封装。
11.如权利要求9所述的增强模式器件，
其中所述导电浮动栅极由所述第一顶部介电层和所述第二顶部介电层进行封装。
12.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述导电浮动栅极的侧面由至少一层侧面介电层覆盖。
13.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述增强模式器件包括增强模式晶体管器件。
14.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述增强模式器件是化合物半导体器件。
15.如权利要求14所述的增强模式器件，
其中所述化合物半导体器件是III族的氮化物器件。
16.如权利要求14所述的增强模式器件，
其中所述化合物半导体器件是碳化硅器件。
17.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述第一底部介电层选自SiOx、SiNx和SiOxNy所组成的组。
18.如权利要求1所述的增强模式器件，
其中所述第二底部介电层选自SiOx、SiNx和SiOxNy所组成的组。
19.如权利要8所述的增强模式器件，
其中所述第一顶部介电层选自SiOx、SiNx和SiOxNy所组成的组。
20.如权利要求8所述的增强模式器件，
其中所述第二顶部介电层选自SiOx、SiNx和SiOxNy所组成的组。
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