[发明专利]一种改善ESD防护能力的JFET在审
| 申请号： | 201510039247.9 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104617155A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 esd 防护 能力 jfet | ||
【权利要求书】：
1.一种改善ESD防护能力的JFET，其特征是，保持源极到漏极的距离c不变，减小源极到栅极的距离a同时增大漏极到栅极的距离b，以提高该JFET的ESD防护能力。
2.根据权利要求1所述的改善ESD防护能力的JFET，其特征是，所述源极到栅极的距离a是指源极n型重掺杂区的侧壁与栅极p型重掺杂区的侧壁的最小间距。
3.根据权利要求1所述的改善ESD防护能力的JFET，其特征是，所述漏极到栅极的距离b是指漏极n型重掺杂区的侧壁与栅极p型重掺杂区的侧壁的最小间距。
4.根据权利要求1所述的改善ESD防护能力的JFET，其特征是，所述源极到漏极的距离c是指源极n型重掺杂区的侧壁与漏极n型重掺杂区的侧壁的最小间距。
5.根据权利要求1所述的改善ESD防护能力的JFET，其特征是，所述JFET的面积保持不变。
6.根据权利要求1所述的改善ESD防护能力的JFET，其特征是，所述JFET包括n型JFET或p型JFET。
7.根据权利要求1所述的改善ESD防护能力的JFET，其特征是，所述源极到栅极的距离a在0.5到2μm之间。
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