[发明专利]一种闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路无效

专利信息
申请号: 201510040972.8 申请日: 2015-01-27
公开(公告)号: CN104731153A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 黄志坚 申请(专利权)人: 北京利德曼生化股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 李弘;杨红梅
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 闭环 调节 大功率 半导体 制冷 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路,用于对连接有主电源的半导体制冷片的温度进行闭环调节,其特征在于,包括:温度传感器以及顺次连接的主控芯片、快速开关、驱动单元、PWM转电压单元,所述PWM转电压单元的输出端连接半导体制冷片;所述主控芯片输出PWM信号为半导体制冷片驱动电压提供控制;所述温度传感器连接半导体制冷片的冷端,实时采集温度通过单总线反馈给所述主控芯片,所述主控芯片根据反馈调整PWM信号的占空比以改变驱动电压,实现半导体制冷片温度控制的闭环调节。

2.根据权利要求1所述的闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路,其特征在于,所述主控芯片为单片机、DSP、ARM、FPGA或CPLD。

3.根据权利要求1所述的闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路,其特征在于,所述主控芯片输出的信号为20KHz高频脉冲宽度调制信号。

4.根据权利要求1所述的闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路,其特征在于,所述快速开关为NPN三极管,其接有下拉电阻,用以加大高频负反馈量,进而加快截止时间。

5.根据权利要求1所述的闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路,其特征在于,所述驱动单元为P沟道大功率MOS管。

6.根据权利要求5所述的闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路,其特征在于,所述PWM转电压单元包括肖特基二极管、大功率电感线圈和电解电容;所述肖特基二极管连接所述P沟道大功率MOS管的漏极和大功率电感线圈一端;所述电解电容正极连接所述大功率电感线圈另一端和半导体制冷片正极,用以减小半导体制冷片的驱动电源纹波。

7.根据权利要求1所述的闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路,其特征在于,所述温度传感器为DS18B20单线数字温度计。

8.根据权利要求1所述的闭环调节大功率半导体制冷片驱动电路,其特征在于,所述主电源为12V电源。

9.一种全自动血凝分析仪,其特征在于,其试剂模块中的半导体制冷片由如权利要求1至8任意一项所述的驱动电路驱动。

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