[发明专利]抑制跳模的影响的热辅助磁记录头有效
申请号: | 201510040982.1 | 申请日: | 2015-01-27 |
公开(公告)号: | CN104810027B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 宫本治一 | 申请(专利权)人: | HGST荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 荷兰,阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 抑制 影响 辅助 记录 | ||
1.一种磁记录器件,包括:
激光单元,所述激光单元被配置为产生激光,所述激光单元包括沿平行于激光发射的方向具有第一长度的激光谐振器;以及,
滑块,所述滑块沿垂直于所述滑块的面向介质的表面的方向具有第二长度,所述滑块包括:
主磁极,所述主磁极被配置为向磁介质写入数据;
近场光生成元件,所述近场光生成元件被配置为当向其提供激光时产生近场光,以通过加热所述磁介质的局部区域而在向所述磁介质写入数据时辅助所述主磁极;以及,
波导,所述波导被配置为将所述激光引导到所述近场光生成元件,所述波导包括围绕芯的包层,
其中,所述激光谐振器的纵模的间隔等于所述波导的光干涉周期的整数倍的5%范围内。
2.根据权利要求1所述的器件,其中,所述近场光生成元件在所述器件的面向介质的表面处包括等腰三角形棱锥形状。
3.根据权利要求1所述的器件,其中,所述主磁极定位在来自所述近场光生成元件的下轨方向中。
4.根据权利要求1所述的器件,其中,所述整数倍选自由下述构成的组:1、2、3和4。
5.根据权利要求1所述的器件,其中,满足nWG·hWG=k·nC·hC,其中,k是所述整数倍,nWG是所述波导的平均有效折射率(传播常数),hWG是所述波导的长度,nC是所述激光谐振器的平均有效折射率(传播常数),并且hC是所述激光谐振器的长度。
6.根据权利要求5所述的器件,其中,所述波导的平均有效折射率(传播常数)nWG是2.0,所述滑块的第二长度是230μm,所述激光的中心波长λ是830μm,并且所述激光谐振器的长度hC是130μm或130μm的整数倍。
7.根据权利要求1所述的器件,其中,所述激光谐振器的纵模的间隔等于所述波导的光干涉周期的整数倍的2%范围内。
8.根据权利要求1所述的器件,其中,所述激光单元利用具有3.5的折射率的GaAs。
9.根据权利要求1所述的器件,其中,所述波导具有非线性形状,所述非线性形状具有至少30μm的曲率半径。
10.根据权利要求9所述的器件,其中,所述波导具有所述激光谐振器的长度的1.5倍或更长的长度。
11.根据权利要求1所述的器件,其中,所述波导包括位于两个线性部分之间的反射元件。
12.一种磁数据存储系统,包括:
磁介质;
磁记录器件,其包括:
激光单元,所述激光单元被配置为产生激光,所述激光单元包括沿平行于激光发射的方向具有第一长度的激光谐振器;以及,
滑块,所述滑块沿垂直于所述滑块的面向介质的表面的方向具有第二长度,所述滑块包括:
主磁极,所述主磁极被配置为向所述磁介质写入数据;
近场光生成元件,所述近场光生成元件被配置为当向其提供激光时产生近场光,以通过加热所述磁介质的局部区域而在向所述磁介质写入数据时辅助所述主磁极;以及,
波导,所述波导被配置为将所述激光引导到所述近场光生成元件,所述波导包括围绕芯的包层,其中,所述激光谐振器的纵模的间隔等于所述波导的光干涉周期的整数倍的5%范围内;
驱动机构,所述驱动机构用于使所述磁介质从所述磁记录器件上方经过;以及
控制器,所述控制器电耦合到所述磁记录器件,用于控制所述磁记录器件的操作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HGST荷兰有限公司,未经HGST荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510040982.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:音频播放方法和装置
- 下一篇:应用于远场识别的前处理方法和装置