[发明专利]在FINFET装置的源/漏区上形成外延材料的方法及所形成装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

鳍片，定义于具有结晶结构的半导体衬底中，其中，该鳍片的至少一侧壁基本朝向该衬底的该结晶结构的<100>晶向设置；

栅极结构，围绕该鳍片设置；

最外部侧间隙壁，邻近该栅极结构的相对侧设置；以及

外延半导体材料，围绕位于该装置的源/漏区中的该最外部侧间隙壁的横向外侧的该鳍片的部分形成，其中，该外延半导体材料沿该鳍片的该侧壁具有基本均匀的厚度。

2.如权利要求1所述的装置，其中，该衬底为(100)衬底，该衬底鳍片具有长轴，其中，该鳍片的该长轴朝向该(100)衬底的<100>晶向设置。

3.如权利要求2所述的装置，其中，该外延半导体材料围绕该鳍片的上表面设置，以及其中，设于该鳍片的该上表面上方的该外延半导体材料的上表面具有基本平坦的表面。

4.如权利要求3所述的装置，其中，该鳍片的上表面朝向该(100)衬底的<001>晶向设置。

5.如权利要求1所述的装置，其中，该衬底为(110)衬底且该衬底鳍片具有长轴，其中，该衬底鳍片的该长轴朝向该(110)衬底的该结晶结构的<110>晶向设置。

6.如权利要求5所述的装置，其中，该外延半导体材料围绕该鳍片的上表面设置，以及其中，设于该鳍片的该上表面上方的该外延半导体材料的上表面具有多面表面。

7.如权利要求6所述的装置，其中，该鳍片的上表面朝向该(110)衬底的<110>晶向设置。

8.如权利要求1所述的装置，其中，该外延半导体材料由硅、Si:B、SiGe:B、GeSn、硅/锗、SiP、SiCP、SiGe:P或SiGe:As的其中一种组成。

9.如权利要求1所述的装置，其中，该衬底由硅组成。

10.如权利要求1所述的装置，其中，除该外延半导体材料以外，该鳍片由除该衬底的该半导体材料以外的至少一种半导体材料组成。

11.如权利要求1所述的装置，其中，除该外延半导体材料以外，该鳍片仅由该衬底的该半导体材料组成。

12.一种形成FinFET装置的方法，包括：

在衬底中形成鳍片，以使该衬底鳍片的至少一侧壁基本朝向该衬底的<100>晶向设置；

围绕该鳍片的至少一部分形成栅极结构；

邻近该栅极结构形成最外部侧间隙壁；以及

在形成该最外部侧间隙壁以后，执行外延沉积制程以围绕该装置的源/漏区中的该鳍片形成外延半导体材料，其中，邻近该鳍片的该侧壁设置的该外延半导体材料具有基本均匀的厚度。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该衬底为(100)衬底，以及其中，在该衬底中形成该鳍片包括形成该鳍片以使该鳍片的长轴朝向该(100)衬底的<100>晶向设置。

14.如权利要求13所述的方法，其中，形成该外延半导体材料包括在该鳍片的上表面上方形成该外延半导体材料，以使设于该鳍片的该上表面上方的该外延半导体材料的部分具有基本平坦的表面。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成该鳍片包括形成该鳍片以使该鳍片的该上表面朝向该(100)衬底的<001>晶向设置。

16.如权利要求12所述的方法，其中，该衬底为(110)衬底，以及其中，在该衬底中形成该鳍片包括形成该鳍片以使该鳍片的长轴朝向该(110)衬底的<110>晶向设置。

17.如权利要求16所述的方法，其中，形成该外延半导体材料包括在该鳍片的上表面上方形成该外延半导体材料，以使设于该鳍片的该上表面上方的该外延半导体材料的部分具有多面表面。

18.如权利要求17所述的方法，其中，形成该鳍片包括形成该鳍片以使该鳍片的该上表面朝向该(110)衬底的<110>晶向设置。