[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在形成有薄膜晶体管的基板上形成保护层，并在所述保护层上形成第一电极；

在形成有所述第一电极的基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层和所述保护层、裸露出所述薄膜晶体管的漏电极的第一过孔和贯穿所述钝化层、裸露出部分所述第一电极的第二过孔；

在所述钝化层上形成通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述薄膜晶体管的漏电极与所述第一电极的导电连接线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层上还形成有第二电极，所述第二电极与所述导电连接线为通过同一次构图工艺形成。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在形成有薄膜晶体管的基板上形成保护层之前还包括：

对所述薄膜晶体管的沟道进行等离子体处理。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述制作方法具体包括：

在所述保护层上沉积第一透明导电层，通过一次构图工艺利用所述第一透明导电层形成所述像素电极；

在形成有所述像素电极的基板上沉积钝化层，通过一次构图工艺形成贯穿钝化层和所述保护层、裸露出所述薄膜晶体管的漏电极的第一过孔和贯穿所述钝化层、裸露出部分所述像素电极的第二过孔；

在形成有所述钝化层的基板上沉积第二透明导电层，通过一次构图工艺利用所述第二透明导电层形成所述公共电极和所述导电连接线，所述导电连接线通过所述第一过孔与所述漏电极连接，并通过所述第二过孔与所述像素电极连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述薄膜晶体管包括：

提供所述基板；

在所述基板上通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的栅电极；

在形成有所述栅电极的基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层的图形；

在形成有所述有源层的基板上通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极。

6.一种阵列基板，其特征在于，为采用如权利要求1-5中任一项所述的制作方法制作得到，所述阵列基板包括：

位于基板上的薄膜晶体管；

位于形成有所述薄膜晶体管的基板上的保护层；

位于所述保护层上的第一电极；

位于形成有所述第一电极的基板上的钝化层；

位于所述钝化层上、通过第一过孔和第二过孔连接所述薄膜晶体管的漏电极与所述第一电极的导电连接线，其中，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述保护层、裸露出所述薄膜晶体管的漏电极，所述第二过孔贯穿所述钝化层、裸露出部分所述第一电极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

位于所述钝化层上的第二电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述保护层、裸露出所述薄膜晶体管的漏电极，所述第二过孔贯穿所述钝化层、裸露出部分所述像素电极，所述导电连接线通过所述第一过孔与所述漏电极连接，并通过所述第二过孔与所述像素电极连接。

9.根据权利要求6-8中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层的厚度为

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6-9中任一项所述的阵列基板。