[发明专利]一种耗尽型MOS管的制造方法及器件在审
| 申请号： | 201510041423.2 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990399A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耗尽 mos 制造 方法 器件 | ||
【权利要求书】：
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