[发明专利]一种稀土铁硼系各向异性磁粉的制备方法及所制备的磁粉

权利要求书

1.一种稀土铁硼系各向异性磁粉的制备方法，包括对稀土铁硼合金颗粒进行HDDR处理的步骤，其特征在于，还包括如下步骤：对经过HDDR处理后的稀土铁硼合金颗粒至少再进行一次HDDR处理，从而得到高矫顽力的稀土铁硼系各向异性磁粉；

其中，所述的对稀土铁硼合金颗粒进行HDDR处理的步骤包括：

步骤b1、吸氢-歧化阶段：将稀土铁硼合金颗粒置入HDDR炉中，并在真空或惰性气体环境下加热至760～860℃，然后向HDDR炉内通入氢气，使HDDR炉内的氢气压力维持在20～100kPa，保温保压0.5～4小时，从而完成吸氢-歧化阶段的处理；

步骤b2、缓慢脱氢-再结合阶段：在吸氢-歧化阶段完成后，将HDDR炉内的温度提升至800～900℃，并使HDDR炉内的氢气压力调整为1～10kPa，保温保压15～180分钟，从而完成缓慢脱氢-再结合阶段的处理；

其中，所述的对经过HDDR处理后的稀土铁硼合金颗粒至少再进行一次HDDR处理包括如下步骤：

步骤c1、第二次HDDR处理中吸氢-歧化阶段：将经过HDDR处理后的稀土铁硼合金颗粒置入HDDR炉中，并在真空或惰性气体环境下加热至760～860℃，然后向HDDR炉内通入氢气，使HDDR炉内的氢气压力维持在20～100kPa，保温保压15分钟，从而完成吸氢-歧化阶段的处理；

步骤c2、第二次HDDR处理中缓慢脱氢-再结合阶段：在吸氢-歧化阶段完成后，将HDDR炉内的温度提升至800～900℃，并使HDDR炉内的氢气压力调整为1～10kPa，保温保压15～60分钟，从而完成缓慢脱氢-再结合阶段的处理；

步骤c3、第二次HDDR处理中完全脱氢阶段：在缓慢脱氢-再结合阶段完成后，使HDDR炉内的温度维持在800～900℃，并进行15～120分钟的抽真空操作，再使HDDR炉内温度快速降温至50℃以下，从而完成第二次HDDR处理中完全脱氢阶段的处理，得到高矫顽力的稀土铁硼系各向异性磁粉。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的对稀土铁硼合金颗粒进行HDDR处理的步骤还包括：

步骤b3、完全脱氢阶段：在缓慢脱氢-再结合阶段完成后，使HDDR炉内的温度维持在800～900℃，并进行15～120分钟的抽真空操作，从而完成完全脱氢阶段的处理。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的稀土铁硼合金颗粒通过如下步骤制得：

步骤a1、按照稀土铁硼系磁粉的化学通式R_xT_1-x-y-zB_yM_z进行配料，并制成稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片；

化学通式中，R为Nd、Pr、La、Ce、Dy或Tb这几种元素中的至少一种；T为Fe、Co或Ni这几种元素中的至少一种；M为Ga、Nb、Zr、Cu、Al、V、Ti、Mo、Si或Mn这几种元素中的至少一种；x、y、z分别表示R、B、M占总体的重量百分数，并且满足如下条件：27.0wt.％≤x≤31.5wt.％，0.9wt.％≤y≤1.1wt.％，0.1wt.％≤z≤3.0wt.％；1–x–y–z表示除了R、B、M外，余量均为T；

步骤a2、对稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片进行均质化热处理；

步骤a3、对均质化热处理后的稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片进行氢破碎处理，得到稀土铁硼合金颗粒。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的x、y、z满足如下条件：27.5wt.％≤x≤30.0wt.％，0.95wt.％≤y≤1.05wt.％，0.3wt.％≤z≤1.5wt.％。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述对稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片进行均质化热处理包括：将稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片置入于真空或惰性气体中，并在1050～1160℃下保温5～40小时，从而完成均质化热处理。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的对均质化热处理后的稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片进行氢破碎处理包括：初始温度设定为200～300℃，吸氢过程进行0.5～3个小时。