[发明专利]一种塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法有效
申请号: | 201510044189.9 | 申请日: | 2015-01-28 |
公开(公告)号: | CN104630711B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 黄平;周青;王飞;徐可为 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/34 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 塑性 金属 纳米 cu ru 多层 制备 方法 | ||
1.一种塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将单面抛光单晶硅基片分别用酒精和丙酮超声清洗,吹干后,放入超高真空磁控溅射设备基片台上,准备镀膜;
2)将需要溅射的金属靶材安置在靶材座上,通过调整中电源的功率控制靶的溅射率;采用高纯Ar作为离化气体,保证有效的辉光放电过程;
3)硅片溅射沉积时,采用直流和射频电源,溅射过程中,沉积速率为铜层每分钟10纳米,钌层每分钟7纳米;先在硅基体上用射频电源镀一层铜层,以这层铜层作为钌层生长的模板,在上面用直流电源镀一层钌层,这样交替沉积铜层和钌层形成多层膜,最终达到所需的厚度和层数,铜钌多层膜的单层厚度为1.5nm。
2.根据权利要求1所述的塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法,其特征在于,薄膜中铜层和钌层的单层厚度,通过镀膜过程中铜层和钌层的沉积时间进行调节。
3.根据权利要求1所述的塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法,其特征在于,将单面抛光单晶硅基片分别用酒精和丙酮超声清洗15分钟。
4.根据权利要求1所述的塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法,其特征在于,铜钌多层膜的膜厚为500nm。
5.根据权利要求1所述的塑性金属纳米Cu/Ru多层膜的制备方法,其特征在于,在室温下用纳米压入衡量压缩塑性变形能力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510044189.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种薄膜沉积设备及方法
- 下一篇:一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法
- 同类专利
- 专利分类