[发明专利]使产ESBLs的多重耐药菌敏感性恢复的方法在审

专利信息
申请号: 201510046356.3 申请日: 2015-01-29
公开(公告)号: CN104611261A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 田恒忠;孟祥清;邢浩莉;孙丹;赵淑海;万莉;倪宁;吕红光;任忠;杨洁;李倩;卜小芳;陈玲;尹晓玲;秦国娟 申请(专利权)人: 淮南市妇幼保健院;邢浩莉
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C12R1/22;C12R1/19
代理公司: 北京双收知识产权代理有限公司 11241 代理人: 王菊珍
地址: 232007 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: esbls 多重 耐药 敏感性 恢复 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种使耐药菌菌敏感性恢复的方法,具体涉及一种使产ESBLs的多重耐药菌敏感性恢复的方法。

背景技术

目前全球进入了抗生素后时代,国内多重耐药菌的检出率超过50%;2012年《中华感染学杂志》刊出:产超广谱酶的多重耐药菌阳性率为52.4%;《药物流行病学杂志》报道肺炎克雷伯产超广谱酶的阳性率为49.3%,大肠杆菌产超广谱酶的阳性率为45.4%;现在多重耐药菌感染已经危及到儿童的健康,2010全国监控网报道:0-14岁儿童肺炎克雷伯产超广谱酶的阳性率为64.9%,大肠杆菌产超广谱酶的阳性率为69.9%.数据显示产超广谱酶的阳性率儿童比成人高。

其次,医院由于使用抗生素和消毒液,医院环境中大部分是多重耐药菌,在医院出生的新生儿,其最初建立正常菌群时的细菌就可能就是多重耐药菌,所以新生儿一旦生病,做培养时大约四分之三都是多重耐药菌,探索恢复多重耐药细菌敏感性的方法已经成为一个崭新的课题。

发明内容

本发明提供了一种使产ESBLs的多重耐药菌敏感性恢复的方法,显示多重耐药菌在营养丰富的培养基传代可以恢复部分抗生素敏感性,本发明的方法切实可行,其结果具有准确、可靠的优点。

一种使产ESBLs的多重耐药菌敏感性恢复的方法,包括如下步骤:

(1)选取临床产ESBLs的多重耐药菌为原始菌株,保藏备用;

(2)将所述原始菌株经增菌、分离制备成菌悬液;

(3)将所述菌悬液转种到一个血液增菌肉汤管,同时转种到一个分离平皿,分别传代培养18-24h,在所述分离平皿中形成菌落;然后观察分离平皿中的所述菌落,若所述菌落单纯无污染,说明本次传代合格,若所述菌落有污染,则重新进行本次传代,直到所述菌落无污染为止;然后将所述血液增菌肉汤管中的菌悬液转种到另一个血液增菌肉汤管中并同时转种到另一个分离平皿中;重复以上步骤至少至20代;

(4)将步骤(3)得到的最后一个血液增菌肉汤管中的菌悬液转种到血培养皿中进行分离培养18-24h,产生典型菌落,对所述典型菌落进行药敏试验,同时与所述原始菌株的药敏进行比较,得出血液增菌肉汤管传代培养得到的细菌的药物敏感性恢复情况。

本发明所述使产ESBLs的多重耐药菌敏感性恢复的方法,其中,所述产ESBLs的多重耐药菌为肺炎克雷伯菌ESBL(Klebsiella peneumoniae ESBL)或大肠埃希菌ESBL(Escherichia coli ESBL);所述肺炎克雷伯菌ESBL,保藏号CCTCC NO:M 2014594,保藏日期:2014年11月25日,现已保藏于中国典型培养物保藏中心,地址:中国武汉武汉大学;所述大肠埃希菌ESBL,保藏号CCTCC NO:M 2014593,保藏日期:2014年11月25日,现已保藏于中国典型培养物保藏中心,地址:中国武汉武汉大学。

本发明所述使产ESBLs的多重耐药菌敏感性恢复的方法,其中,所述步骤(1)具体包括如下步骤:

取所述原始菌株的典型菌落接种到含有菌种保存液的尖底微量离心管内,-20℃低温保存,所述菌种保存液为质量分数为15%甘油胰化酪蛋白大豆汤,其具体成分为:胰化酪蛋白17g/L,大豆胨3g/L,氯化钠5g/L,磷酸氢二钾2.5g/L,葡萄糖2.5g/L,其余为蒸馏水。

本发明所述使产ESBLs的多重耐药菌敏感性恢复的方法,其中,所述步骤(2)具体包括如下步骤:

首先把所述冷藏的尖底微量离心管内的菌株经过增菌培养,所述增菌培养为取少量所述菌株加入增菌培养管内,置于35±1℃培养18-24h;然后再进行分离培养,所述分离培养具体步骤如下:用接种环蘸取所述增菌培养后的菌悬液,划线接种到营养琼脂平皿上,置于35±1℃培养18-24h,可见单一菌落,判定所述菌株有无污染,如无污染则该增菌培养物即为试验用菌悬液,若有污染则重新做上述步骤,直至无污染为止。

本发明所述使产ESBLs的多重耐药菌敏感性恢复的方法,其中,所述步骤(3)具体包括如下步骤:

a、将所述菌悬液转种到所述血液增菌肉汤管,同时转种到所述分离平皿,分别传代培养,所述传代培养为在35±1℃条件下培养18-24h,所述分离平皿中形成菌落;

b、观察所述分离平皿中的菌落,若所述菌落单纯无污染,说明本次传代合格,若所述菌落有污染,则重新进行本次传代,直到所述菌落无污染为止;

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