[发明专利]应用于光接收器的抗干扰电路有效

专利信息
申请号: 201510046403.4 申请日: 2015-01-29
公开(公告)号: CN104639257B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 罗萍;王军科;万宵鹏;曹灿华;张飞翔;甄少伟;张有润 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H04B10/60 分类号: H04B10/60
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 代理人: 敖欢,葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 应用于 接收器 抗干扰 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于光接收器的抗干扰电路,其特征在于:由检测电路模块、可调反相器电路模块组成,检测电路模块用以检测输入端信号中的窄脉冲大幅值干扰信号,检测电路模块的输入端接跨阻放大器的输出,检测电路模块输出端接可调反相器电路模块的电源端以输出相应的调节信号Icharge给可调反相器电路模块,可调反相器电路模块接在比较器和输出逻辑之间,可调反相器电路模块输出逻辑信号由低到高变化的建立时间受检测电路模块的输出调节;可调反相器电路模块由NMOS管MN5、PMOS管MP5和负载电容Cc组成,NMOS管MN5和PMOS管MP5的栅极相接,为输入端;NMOS管MN5和PMOS管MP5的漏极相接,为输出端;NMOS管MN5的源极接地Gnd,负载电容Cc的上端接NMOS管MN5的漏极,负载电容Cc的下端接地Gnd,PMOS管MP5的源极接检测电路模块的输出调节信号Icharge

2.根据权利要求1所述的应用于光接收器的抗干扰电路,其特征在于:所述检测电路模块由NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4,以及PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4,以及电阻R1、R2所组成,NMOS管MN1的栅极为检测电路的输入端,NMOS管MN1的漏极接电源Vdd,NMOS管MN1的源极接NMOS管MN2的源极和电阻R1的上端,电阻R1的下端接地Gnd,NMOS管MN2的栅极接电阻R2的上端,电阻R2的下端接NMOS管MN3的漏极,NMOS管MN3的栅极与漏极相接,NMOS管MN3的源极接NMOS管MN4的漏极,NMOS管MN4的栅极和漏极相接,NMOS管MN4的源极接地Gnd,PMOS管MP1的源极接电源Vdd,PMOS管MP1的漏极、栅极和NMOS管MN2的漏极相接,PMOS管MP2的源极接电源Vdd,PMOS管MP2的栅极接PMOS管MP1的栅极,PMOS管MP2的漏极接PMOS管MP3的漏极,PMOS管MP3的源极接电源Vdd,PMOS管MP3的栅极接PMOS管MP4的栅极并外接基准偏置,PMOS管MP4的源极接电源Vdd,PMOS管MP2的漏极输出调节信号Icharge给可调反相器电路模块。

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