[发明专利]宽电源电压的过温迟滞保护电路

权利要求书

1.一种宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：由启动电路模块、I_PTAT电流产生电路模块、基准电压模块、过温检测模块以及级联反相器模块所组成，其中，启动电路模块的输出电流提供给I_PTAT电流产生电路模块的输入端，I_PTAT电流产生电路模块的输出电压提供给基准电压模块的输入端和过温检测模块的输入端V₁，基准电压模块的输出V_ref提供给过温检测模块的输入端V₂和启动电路模块的输入端，过温检测模块的输出电压提供给级联反相器模块的输入端；级联反相器模块的输出电压V₃提供给过温检测模块的输入端V₄。

2.根据权利要求1所述的宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：所述启动电路模块由MOS管M₀、M₁、M₂管所组成，其中，MOS管M₀的源端接电源Vdd，MOS管M₀栅极接MOS管M₁的栅极，MOS管M₀漏极接MOS管M₁的漏极，MOS管M₁源极接地GND，MOS管M₁漏极接MOS管M₂的栅极，MOS管M₂的源极接地GND，MOS管M₂的漏极接I_PTAT电流产生电路模块的输入端。

3.根据权利要求1所述的宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：所述I_PTAT电流产生电路模块由MOS管M₃、M₄、M₅、M₆和电阻R₀以及晶体管Q₀、Q₁和运算放大器A₀所构成，其中，MOS管M₃的源极接电源Vdd，MOS管M₃的栅极接MOS管M₄的栅极，MOS管M₃的漏极接MOS管M₅的漏极，MOS管M₄的源极接电源Vdd，MOS管M₄的栅极接MOS管M₆的漏极，MOS管M₄的栅极接启动电路模块电流输出端，MOS管M₄的漏极接MOS管M₆的漏极，MOS管M₅的源极接晶体管Q₁的发射极，MOS管M₅的栅极接放大器A₀的输出，MOS管M₆的源极接电阻R₀的上端，MOS管M₆的栅极接放大器A₀的输出，放大器A₀的同相输入端接电阻R₀的上端，反相输入端接晶体管Q₀的发射极，放大器A₀的输出端接MOS管M₅的栅极，电阻R₀的下端接晶体管Q₁的发射极，晶体管Q₁的基极接地GND，晶体管Q₁的集电极接地GND，晶体管Q₀的基极接地GND，晶体管Q₀的集电极接地GND。