[发明专利]堆叠式芯片装置在审
申请号: | 201510047964.6 | 申请日: | 2015-01-29 |
公开(公告)号: | CN104810359A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 朴寅吉;卢泰亨;金炅泰;徐泰根;李明镐;李敏洙 | 申请(专利权)人: | 英诺晶片科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/11 | 分类号: | H01L25/11;H01L23/485 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 韩国京畿道安山市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 芯片 装置 | ||
1.一种堆叠式芯片装置,其特征在于,包括:
第一堆叠单元,所述第一堆叠单元包括针对单元装置区域分别布置的多个电极图案,以及形成为经连接以横跨所述单元装置区域的公共电极图案;
第二堆叠单元,所述第二堆叠单元布置在所述第一堆叠单元的顶部部分上,并且包括多个第一导体图案;以及
第三堆叠单元,所述第三堆叠单元布置在所述第一堆叠单元的底部部分上,并且包括多个第二导体图案,
其中所述第一导体图案以及所述第二导体图案形成于多个片材上,形成于一个片材上的所述第一导体图案以及所述第二导体图案是跨越多个单元装置区域而形成,并且所述第一导体图案以及所述第二导体图案通过通路垂直地连接,所述通路形成为穿过至少一些所述片材。
2.根据权利要求1所述的堆叠式芯片装置,其特征在于,其中所述第一导体图案以及所述第二导体图案形成于一个片材上以横跨至少两个单元装置,
所述通路包括形成于所述第一导体图案的中心部分上的第一中心通路、形成于所述第一导体图案的末端部分上的第一末端部分通路、形成于所述第二导体图案的中心部分上的第二中心通路,以及形成于所述第二导体图案的末端部分上的第二末端部分通路,
所述第一中心通路以及所述第二中心通路的中心轴线彼此分离,并且
所述第一末端部分通路以及所述第二末端部分通路在水平方向上分离地布置。
3.根据权利要求2所述的堆叠式芯片装置,其特征在于,其中所述第一中心通路以及所述第一末端部分通路在垂直方向上交替地形成,并且
所述第二中心通路以及所述第二末端部分通路在所述垂直方向上交替地形成。
4.根据权利要求1所述的堆叠式芯片装置,其特征在于,进一步包括:
多个第一外部端子,所述多个第一外部端子经配置以连接到所述多个电极图案的部分以及所述多个第一导体图案;多个第二外部端子,所述多个第二外部端子经配置以连接到所述多个电极图案的其余部分以及所述多个第二导体图案;以及公共外部端子,所述公共外部端子连接到所述公共电极图案,
其中所述第一外部端子以及所述第二外部端子交替地布置。
5.根据权利要求1所述的堆叠式芯片装置,其特征在于,其中所述多个电极图案的一个经暴露末端部分的宽度窄于另一末端部分的宽度。
6.根据权利要求5所述的堆叠式芯片装置,其特征在于,其中所述多个电极图案的所述末端部分中的至少一者偏离经配置以将所述电极图案划分成两个部分的中心线。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的堆叠式芯片装置,其特征在于,其中
所述公共电极图案包括在面对所述通路的部分的至少部分上的非导体区域。
8.一种堆叠式芯片装置,其特征在于,包括:
第一堆叠单元,所述第一堆叠单元包括针对单元装置区域分别布置的多个电极图案,以及形成为经连接以横跨所述单元装置区域的公共电极图案;以及
导体堆叠单元,所述导体堆叠单元经配置以布置在所述第一堆叠单元的顶部部分以及底部部分的至少一侧上,并且包括多个导体图案,
其中所述导体图案形成于多个片材上,并且通过通路垂直地连接,所述通路形成为穿过至少一些所述片材,并且
所述公共电极图案包括在面对所述通路的部分的至少部分上的非导体区域。
9.根据权利要求8所述的堆叠式芯片装置,其特征在于,更包括第二堆叠单元与第三堆叠单元,其中所述第二堆叠单元布置在所述第一堆叠单元的顶部部分上,并且包括多个第一导体图案;并且
所述第三堆叠单元布置在所述第一堆叠单元的底部部分上,并且包括多个第二导体图案,
其中所述第一导体图案以及所述第二导体图案中的至少一者形成于所述多个片材上,并且所述第一图案以及所述第二图案中的至少一者通过通路垂直地连接,所述通路形成为穿过至少一些所述片材。
10.根据权利要求9所述的堆叠式芯片装置,其特征在于,其中所述公共电极图案包括形成于所述电极图案的顶部部分上的顶部公共电极图案,以及形成于所述电极图案的底部部分上的底部公共电极图案,
所述顶部公共电极图案包括在面对经配置以垂直地连接所述第一导体图案的第一通路的部分上的非导体区域,并且
所述底部公共电极图案包括在面对经配置以垂直地连接所述第二导体图案的第二通路的部分上的非导体区域。
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