[发明专利]基板液体处理装置和基板液体处理方法有效
申请号: | 201510048353.3 | 申请日: | 2015-01-30 |
公开(公告)号: | CN104821285B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 原大海;佐藤秀明;河津贵裕;永井高志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板液体处理装置,将规定浓度的药剂的第一水溶液用作处理液来对基板进行液体处理,该基板液体处理装置的特征在于,具有:
处理液贮存部,其贮存上述处理液;
水溶液供给部,其向上述处理液贮存部供给浓度与上述处理液的浓度不同的上述药剂的第二水溶液;
处理液排出部,其从上述处理液贮存部排出上述处理液;以及
控制部,其控制上述水溶液供给部和上述处理液排出部,
其中,上述控制部进行控制,使得通过上述水溶液供给部向上述处理液贮存部每单位时间供给规定量的上述第二水溶液,并且使得通过上述处理液排出部从上述处理液贮存部每单位时间排出含有与供给至上述处理液贮存部的上述第二水溶液中含有的上述药剂的量相同量的药剂的上述处理液,以将贮存于上述处理液贮存部的上述处理液中含有的上述药剂的量始终保持固定,
其中,上述控制部进行控制,使得将上述基板浸渍在贮存于上述处理液贮存部的上述处理液中并使用上述处理液对上述基板进行处理,并且使得在上述基板的处理中同时进行由上述水溶液供给部进行的上述第二水溶液的供给以及由上述处理液排出部进行的上述处理液的排出。
2.根据权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于,
使用浓度和温度低于上述处理液的浓度和温度的水溶液作为上述第二水溶液,
还具有加热单元,在向上述处理液贮存部供给上述第二水溶液之后,该加热单元对上述处理液进行加热。
3.根据权利要求2所述的基板液体处理装置,其特征在于,
设置有向上述处理液贮存部供给水的供水部,
上述控制部进行控制,使得从上述供水部向上述处理液贮存部供给与如下水的量相同量的水:从将由于加热而从上述处理液贮存部蒸发的水的量与从上述处理液贮存部排出的上述处理液中含有的水的量相加得到的水的量减去供给至上述处理液贮存部的上述第二水溶液中含有的水的量得到的水的量。
4.根据权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于,
上述控制部存储将上述基板浸渍在贮存于上述处理液贮存部的上述处理液中之后的上述处理液贮存部的水位,并且控制由上述处理液排出部从上述处理液贮存部排出上述处理液的排出量以维持该水位。
5.一种基板液体处理方法,将规定浓度的药剂的第一水溶液用作处理液来对基板进行液体处理,该基板液体处理方法的特征在于,
将上述处理液贮存于处理液贮存部,向上述处理液贮存部供给浓度与上述处理液的浓度不同的上述药剂的第二水溶液并且从上述处理液贮存部排出上述处理液,来更新贮存于上述处理液贮存部的上述处理液,
此时,向上述处理液贮存部每单位时间供给规定量的上述第二水溶液,并且从上述处理液贮存部每单位时间排出含有与供给至上述处理液贮存部的上述第二水溶液中含有的上述药剂的量相同量的药剂的上述处理液,以将贮存于上述处理液贮存部的上述处理液中含有的上述药剂的量始终保持固定,
将上述基板浸渍在贮存于上述处理液贮存部的上述处理液中并使用上述处理液对上述基板进行处理,并且在上述基板的处理中同时进行上述第二水溶液的供给和上述处理液的排出。
6.根据权利要求5所述的基板液体处理方法,其特征在于,
使用浓度和温度低于上述处理液的浓度和温度的水溶液作为上述第二水溶液,
在向上述处理液贮存部供给上述第二水溶液之后对上述处理液进行加热。
7.根据权利要求6所述的基板液体处理方法,其特征在于,
向上述处理液贮存部供给与如下水的量相同量的水:从将由于加热而从上述处理液贮存部蒸发的水的量与从上述处理液贮存部排出的上述处理液中含有的水的量相加得到的水的量减去供给至上述处理液贮存部的上述第二水溶液中含有的水的量得到的水的量。
8.根据权利要求5所述的基板液体处理方法,其特征在于,
存储将上述基板浸渍在贮存于上述处理液贮存部的上述处理液中之后的上述处理液贮存部的水位,并且从上述处理液贮存部排出上述处理液以维持该水位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造