[发明专利]III族氮化物基增强模式晶体管有效
| 申请号： | 201510048389.1 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104821331B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | O.赫贝伦;C.奥斯特迈尔;G.普雷希特尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;徐红燕 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 增强 模式 晶体管 | ||
1.一种III族氮化物基增强模式晶体管，包括异质结鳍片结构，其中异质结鳍片结构的侧面和顶面被p型III族氮化物层覆盖，并且其中异质结鳍片结构具有与p型III族氮化物层的长度对应的长度。
2.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中异质结鳍片结构包括布置在形成异质结的第二III族氮化物半导体层上的第一III族氮化物半导体层。
3.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，进一步包括布置在p型III族氮化物层上的栅极电极。
4.依据权利要求3的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中栅极电极被直接布置在p型III族氮化物层上。
5.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中p型III族氮化物层填充在异质结鳍片结构的相邻鳍片之间的区。
6.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中异质结鳍片结构被沉积在衬底上。
7.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中异质结鳍片结构在衬底中包括台面结构。
8.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中p型III族氮化物层被耦合到栅极电极。
9.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，进一步包括III族氮化物背势垒层。
10.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，进一步包括III族氮化物帽层，所述III族氮化物帽层被布置在异质结鳍片结构的顶面和p型III族氮化物层之间。
11.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中p型III族氮化物层包括顶层，所述顶层被布置在异质结鳍片结构的顶面上和在包括p型III族氮化物的侧层的顶面上。
12.依据权利要求11的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中p型III族氮化物层包括覆盖异质结鳍片结构的侧面的侧层，所述侧层被注入掺杂。
13.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中p型III族氮化物层被掺杂带有镁。
14.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中异质结鳍片结构包括多个鳍片。
15.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中异质结鳍片结构包括堆叠在III族氮化物沟道层上的III族氮化物势垒层。
16.依据权利要求15的所述III族氮化物基增强模式晶体管，进一步包括布置在III族氮化物势垒层和III族氮化物沟道层之间的III族氮化物中间层。
17.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，进一步包括布置在p型III族氮化物层上的栅极电极，所述栅极电极延伸到在异质结鳍片结构的相邻鳍片之间的区中。
18.依据权利要求1的所述III族氮化物基增强模式晶体管，其中p型III族氮化物层装衬限定异质结鳍片结构的相邻鳍片的沟槽的壁。
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