[发明专利]多晶硅太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201510049632.1 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104733564A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张红妹;王涛;马红娜 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司;英利能源（中国）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0368;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种多晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
对多晶硅基体进行酸溶液清洗；
清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；
扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成多晶硅太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述酸溶液为盐酸和氢氟酸的混合溶液，其中，所述酸溶液中氢氟酸的质量浓度为5％-20％，所述盐酸的质量浓度为5％-20％。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述酸洗时间为2min-8min，包括端点值。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂包括：
对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述磷重掺杂区域的掺杂浓度大于1021cm-3，包括端点值。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域包括：
将所述多晶硅基体放入扩散管内，在预设温度下通入氧气和三氯氧磷，对所述多晶硅基体进行磷扩散，在所述硅基体表面形成磷重掺杂区域。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述预设温度范围为：580℃-900℃，包括端点值。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，氧气流量为100sccm-300sccm，包括端点值；三氯氧磷流量为800sccm-2000sccm，包括端点值；通入时间为25min-45min，包括端点值。
9.根据权利要求5-8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述太阳能电池的方块电阻小于40Ω/□。
10.一种多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅太阳能电池利用权利要求1-9任一项所述的制作方法制作而成，其方块电阻小于40Ω/□。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
