[发明专利]倒装LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201510050224.8 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104681704B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王冬雷;陈顺利;莫庆伟 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 116100 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.倒装LED芯片，包括衬底以及依次生长于所述衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成芯片的外延层，所述P型氮化镓层上形成有反射层或电流扩展层；
其特征在于，还包括：
覆盖所述外延层和所述反射层或电流扩展层表面的第一绝缘层；
与所述反射层或电流扩展层电连接的P型电极，所述P型电极形成于所述第一绝缘层上；
与所述N型氮化镓层电连接的N型电极，所述N型电极形成于所述第一绝缘层上；
形成于所述P型电极或N型电极上的环形的散热凹槽，所述散热凹槽贯穿至所述第一绝缘层表面，所述散热凹槽位于芯片中部或芯片两端；
覆盖于所述P型电极和N型电极表面上及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层表面上的第二绝缘层，所述第二绝缘层填充满所述散热凹槽，所述第二绝缘层上形成贯穿至所述P型电极或N型电极表面的散热孔，所述散热孔在水平面上的投影位于所述散热凹槽内；
沉积于所述第二绝缘层上并与所述N型电极连接的N焊盘；
沉积于所述第二绝缘层上并与所述P型电极连接的P焊盘；
填充满所述散热孔的导热柱，所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐或露出于所述第二绝缘层。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述导热柱的导热系数不小于100W/(m·K)。
3.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐并与所述P焊盘及N焊盘相连。
4.如权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述N焊盘和P焊盘部分填充满所述散热孔形成导热柱。
5.如权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述散热凹槽形成于所述N型电极上且位于芯片的两端。
6.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述导热柱覆盖于所述第二绝缘层表面上，并填充满所述散热孔，所述导热柱与所述N焊盘及P焊盘相互隔离。
7.如权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述散热凹槽形成于所述N型电极上且位于芯片的中部。
8.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：还包括
贯穿所述外延层、露出所述衬底表面的沟槽；
贯穿所述P型氮化镓、发光层直到N型氮化镓层表面的N电极孔；
所述第一绝缘层填充所述沟槽和N电极孔，所述第一绝缘层上形成有与所述反射层或电流扩展层表面相连的P型接触孔和与所述N型氮化镓层表面相连的N型接触孔；
所述P型电极沉积在部分第一绝缘层上及P型接触孔内、通过P型接触孔与反射层或电流扩展层电连接；
所述N型电极沉积在部分第一绝缘层上及N型接触孔内、通过N型接触孔与N型氮化镓层电连接；
所述第二绝缘层上形成有与N型电极表面连接的N型电极接触孔以及与P型电极表面连接的P型电极接触孔；
所述N焊盘沉积于所述第二绝缘层上和所述N型电极接触孔内并与所述N型电极连接；所述P焊盘沉积于所述第二绝缘层上和所述P型电极接触孔内并与所述P型电极连接。
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