[发明专利]一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统

权利要求书

1.一种太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，其特征在于：所述的强磁聚焦磁体系统包括两个超导主线圈(1、2)，四个超导校正线圈(3、4、5、6、)和两个阴极磁场补偿超导线圈(7、8)；所述的第一超导主线圈(1)位于强磁聚焦磁体系统的最内层，第二超导主线圈(2)与第一超导主线圈(1)同轴布置于第一超导主线圈(1)的外表面；第一超导校正线圈(3)同轴布置于第二超导主线圈(2)一端端部的外表面；第二超导校正线圈(4)同轴布置于第一超导校正线圈(3)的外表面；第三超导校正线圈(5)同轴布置于第二超导主线圈(2)另一端端部的外表面；第四超导校正线圈(6)同轴布置于第三超导校正线圈(5)的外表面；第一超导主线圈(1)和第二超导主线圈(2)的轴向端面两侧分别布置有第一阴极磁场补偿超导线圈(7)和第二阴极磁场补偿超导线圈(8)；所述的两个超导主线圈(1、2)，四个磁场校正线圈(3、4、5、6、)和两个阴极磁场补偿超导线圈(7、8)组成磁体系统；各个所述的超导线圈内部均布有分布式固体导冷Litz线(10)，各个所述的超导线圈表面缠绕有微流热交换器(9)，分布式固体导冷Litz线(10)和微流热交换器(9)与制冷机(11)相连接；所述的磁体系统通过稀土材料掺杂环氧树脂，采用真空浸渍工艺固化成型。

2.按照权利要求1所述的太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，其特征在于：所述的第一超导主线圈(1)与第二超导主线圈(2)之间的间隙为5mm；第一超导校正线圈(3)与第二超导主线圈(2)的间隙为6mm；第二超导校正线圈(4)与第一超导校正线圈(3)之间的间隙为3mm；第三超导校正线圈(5)与第二超导主线圈(2)之间的间隙为6mm；第三超导校正线圈(5)与第二超导主线圈(2)之间的间隙为6mm；第四超导校正线圈(6)与第三超导校正线圈(5)之间的间隙为3mm。

3.按照权利要求1所述的太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，其特征在于：所述的两个超导主线圈(1、2)、四个超导校正线圈(3、4、5、6、)，以及两个阴极磁场补偿超导线圈(7、8)均为螺管线圈，所述的两个超导主线圈(1、2)由Nb3Sn超导线材制作，四个超导校正线圈(3、4、5、6)，以及两个阴极磁场补偿超导线圈(7、8)由NbTi超导线材制作。

4.按照权利要求1所述的太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，其特征在于：两个所述的超导主线圈(1、2)和四个超导校正线圈(3、4、5、6、)共同提供16T的中心磁场；四个超导校正线圈(3、4、5、6、)实现磁体系统轴向200mm的均匀区间；两个阴极磁场补偿超导线圈(7、8)实现位于磁体系统外部阴极区小于3000高斯的磁场强度。

5.按照权利要求1所述的太赫兹源的强磁聚焦磁体系统，其特征在于：所述的两个超导主线圈(1、2)和四个超导校正线圈(3、4、5、6)按照超导线材径向方向上的电流密度分级布置，即第一超导主线圈(1)的导线线径大于第二超导主线圈(2)的导线线径，第二超导主线圈(2)的导线线径大于第一超导校正线圈(3)的线径，第一超导校正线圈(3)的导线线径大于第二超导校正线圈(4)的导线线径；第二超导主线圈(2)的导线线径大于第三超导校正线圈(5)的导线线径，第三超导校正线圈(5)的导线线径大于第四超导校正线圈(6)的导线线径。