[发明专利]聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

a、将目标电极置于第一缓冲溶液中采用循环伏安法进行扫描制备聚对氨基苯磺酸修饰电极的工序；

b、将所述聚对氨基苯磺酸修饰电极置于第二缓冲溶液中采用循环伏安法进行扫描制备聚邻苯二胺修饰电极的工序；

c、将所述聚邻苯二胺修饰电极进行洗脱制备聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极的工序；

其中，所述第一缓冲溶液含有对氨基苯磺酸，所述第二缓冲溶液含有扑热息痛、邻苯二胺和氯化钾；在步骤b中，所述第二缓冲溶液中的氯化钾的摩尔浓度为0.08-0.12M，所述第二缓冲溶液中的扑热息痛的摩尔浓度为3-8mM，相对于1mmol的扑热息痛，所述邻苯二胺的用量为0.5-3mmol；在步骤b中，所述循环伏安法的具体条件符合以下条件：扫描电位0V～0.8V，扫描速率为25-100mV/s，扫描圈数为25-40圈。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤a中，所述第一缓冲溶液的pH为4-7。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤a中，所述第一缓冲溶液中的对氨基苯磺酸的摩尔浓度为1×10^-3M-3×10^-3M。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在步骤a中，所述循环伏安法的具体条件符合以下条件：扫描电位-1.5V～2.5V，扫描速率为0.08-0.12V/s，扫描圈数为5-25圈。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，在步骤b中，所述第二缓冲溶液的pH为4-7。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，相对于1mmol的扑热息痛，所述邻苯二胺的用量为0.8-1.2mmol。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其中，在步骤c中，所述洗脱的步骤为：先用蒸馏水冲洗所述聚邻苯二胺修饰电极，然后将冲洗后的所述聚邻苯二胺修饰电极浸泡于无水乙醇进行洗脱。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述浸泡的温度为15-35℃，浸泡时间为15-40min。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述目标电极为玻碳电极、金电极和ITO电极中的一种。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一缓冲溶液和第二缓冲溶液各自独立地为磷酸盐缓冲溶液。

11.根据权利要求1-10中的任意一项所述的制备方法，其中，在步骤a之前，该方法还包括将所述目标电极进行预处理的工序：将所述目标电极在麂皮上进行打磨且将打磨后的所述目标电极置于K₃[Fe(CN)₆]/K₄[Fe(CN)₆]溶液中采用循环伏安法进行电化学处理直至氧化峰和还原峰的电位值差△Ep＜75mV，再分别用乙醇和水进行超声清洗。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其中，所述K₃[Fe(CN)₆]/K₄[Fe(CN)₆]溶液的浓度为1mmol/L-10mmmol/L。

13.一种聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极，其特征在于，所述聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极通过权利要求1-12中的任意一项所述的方法制备而成。

14.根据权利要求13所述的聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极在检测扑热息痛中的应用。