[发明专利]闪存单元逻辑状态读取值的判断方法

说明书

本发明的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I₀；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流I_ri，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I₀与第二比例的第i行的所述参考电流I_ri相加的和为第i行的临界电流I_i，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流I_i时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流I_i时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。本发明中，取第一比例的固定电流I₀与第二比例的第i行的参考电流I_ri相加的和为第i行的临界电流I_i，减小负载效应对于闪存单元逻辑状态读取的影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法。

背景技术

快闪存储器应用于现今的多种应用中，快闪存储器可以读取或者写入数据，而且存储于其中的数据不需要依靠电源来维持，因此，适用于各种数据存储的用途。

现有技术中，闪存单元单元阵列的连接示意图参考图1所示，通常在对闪存单元的的逻辑状态的读取方法为：设定一固定电流，对每一行的闪存单元都采用同一个判断标准，当闪存单元的电流值大于等于固定电流值时，判断为逻辑状态为“1”，当闪存单元的电流值小于固定电流时，判断为逻辑状态为“0”。由于每一行闪存单元的金属连线的长短不一致，使得每一行闪存单元的寄生电阻不同，造成的电流值差异不同，因此，难以采用相同的判断标准。

然而，对于每一行设定一单独的参考电流，即每一行的闪存单元采用不同的判断标准，当闪存单元的电流值大于等于该行参考电流值时，判断为逻辑状态为“1”，当闪存单元的电流值小于该行参考电流值时，判断为逻辑状态为“0”。然而，由于作为参考的闪存单元一直做擦除，使得该闪存单元的电流远大于正常的闪存单元，导致判断的标准偏离。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，减小闪存阵列中的负载效应对于闪存阵列中每一行判断闪存单元逻辑状态读取的影响。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，包括：

提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I₀；

在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流I_ri，其中，i＝1，……，m；

取第一比例的所述固定电流I₀与第二比例的第i行的所述参考电流I_ri相加的和为第i行的临界电流I_i，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流I_i时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流I_i时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。

可选的，所述第一比例的范围为70％-80％。

可选的，所述第二比例的范围为15％-25％。

可选的，所述参考单元包括3-5个所述闪存单元。

可选的，所述闪存单元阵列至少500行所述闪存单元。

可选的，所述闪存阵列包括多条源线、多条位线和多条字线，每个所述闪存单元连接其中的一条所述源线、一条所述位线和一条所述字线。

可选的，同一行的所述闪存单元的控制栅极连接在同一个栅极控制电压上。