[发明专利]具有高线性度的射频开关在审

专利信息
申请号: 201510053284.5 申请日: 2015-02-02
公开(公告)号: CN104601156A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 朱欣恩;石雯;胡江涛;李思成;卢煜旻 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 代理人: 刘元霞
地址: 201800 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 具有 线性 射频 开关
【权利要求书】:

1.一种射频开关,该射频开关包括一个开关主电路和开关次电路,其特征在于:

所述开关主电路的一端为射频信号输入端,另外一端为射频信号输出端,该射频信号输出端与负载连接;该开关主电路包括多个串联连接的MOSFET;

所述开关次电路的一端连接于开关主电路的射频信号输出端,另一端接地;该开关次电路包括多个串联连接的MOSFET;

其中,开关次电路中邻近所述开关主电路射频信号输出端的MOSFET沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)比远离所述开关主电路射频信号输出端的MOSFET的沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)大。

2.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,开关次电路中各个MOSFET沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)从邻近开关主电路射频信号输出端到接地端逐步递减。

3.如权利要求2所述的射频开关,其特征在于,开关次电路中各个MOSFET沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)从邻近开关主电路射频信号输出端到接地端线性递减。

4.如权利要求3所述的射频开关,开关次电路中各个MOSFET沟道尺寸的宽度与长度的比值(W/L)从邻近开关主电路射频信号输出端到接地端等梯度递减。

5.如权利要求1所述的射频开关,所述负载为天线。

6.一种集成电路芯片,其特征在于具备如权利要求1-5中任一项所述的射频开关。

7.一种无线通信装置,其特征在于具备如权利要求1-5中任一项所述的射频开关。

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