[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510053319.5 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105984832B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 郑超;李卫刚;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面上形成有图案化的牺牲层；
步骤S2：执行MEMS工艺，以在所述MEMS晶圆的正面形成MEMS器件并覆盖所述牺牲层；
步骤S3：反转所述步骤S2中得到的元件，并图案化所述MEMS晶圆的背面，以形成凹槽；
步骤S4：沿所述牺牲层的轮廓切割所述凹槽的底部至所述MEMS器件，以露出所述牺牲层的边缘；
步骤S5：去除所述牺牲层以及位于所述牺牲层上方的所述MEMS晶圆，以露出所述MEMS器件，形成MEMS背孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，选用激光划片的方法对所述MEMS晶圆进行所述切割。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，切割所述凹槽的底部，以露出所述牺牲层的侧壁。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述牺牲层选用Ge。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述牺牲层的厚度为4.5-5.5um。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，选用H2O2去除所述牺牲层以及所述牺牲层上方的所述MEMS晶圆。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述凹槽的关键尺寸为150-170um。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括反转所述步骤S5中所得到的器件。
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