[发明专利]一种光刻胶喷涂方法及装置

说明书

本发明涉及半导体生产工艺技术领域，尤其涉及一种光刻胶喷涂方法及装置，该光刻胶喷涂方法包括以下步骤：提供硅片和喷嘴，所述喷嘴设置在所述硅片下方，所述喷嘴向上喷射光刻胶，光刻胶呈胶粒状态运动至所述硅片表面，本发明改善了光刻胶在硅片表面的填充能力，使喷涂颗粒均匀。

技术领域

本发明涉及半导体生产工艺技术领域，尤其涉及一种光刻胶喷涂方法及装置。

背景技术

微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)是以半导体制造技术为基础发展起来的制造技术平台。MEMS技术采用了半导体技术中的光刻、腐蚀、薄膜等一系列现有的技术和材料。MEMS器件以硅为主要材料，用硅微加工工艺在一片硅片上可同时制造成百上千个微型机电装置或完整的MEMS，具有体积小、重量轻等优点。

在光刻工艺中，需要在硅片表面涂覆一层粘附性好、厚度适当、厚薄均匀的光刻胶。光刻胶涂覆技术一般采用旋涂法，由于硅表面往往存在大深宽比的沟槽，旋涂法会造成沟槽内的气泡问题和上表面光刻胶覆盖不良等问题，业内采用溶剂预浸润和涂覆后低压法，进行气泡的消除和覆盖不良的改善，但是效果均不好；为解决该问题，诞生了光刻胶超声雾化喷涂法，虽然在一定程度上解决了上述问题，但喷涂颗粒不均匀，填充能力差，沟槽底部由于胶的流动性仍然存在严重的堆积现象以及覆盖不良等问题。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种光刻胶喷涂方法及装置，使其更具有产业上的利用价值。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种光刻胶喷涂方法及装置，改善光刻胶的填充能力，使喷涂颗粒均匀。

本发明提出的一种光刻胶喷涂方法，提供硅片和喷嘴，所述喷嘴设置在所述硅片下方，所述喷嘴向上喷射光刻胶，光刻胶呈胶粒状态运动至所述硅片表面。

进一步的，所述喷嘴和硅片设置在低压腔室中。

进一步的，所述硅片还连接静电发生器，所述硅片通过静电来吸附胶粒。

进一步的，所述低压腔室内的压力维持恒定，压力值的范围是10～50000Pa。

进一步的，所述硅片通过加热来提高固定胶粒的能力。

本发明还提出一种光刻胶喷涂装置，包括硅片和喷嘴，所述喷嘴设置在所述硅片的下方。

进一步的，所述光刻胶喷涂装置还包括低压腔室，所述喷嘴和硅片设置在所述低压腔室中。

进一步的，所述硅片连接静电发生器。

进一步的，所述低压腔室内的压力维持恒定，压力值的范围是10～50000Pa。

进一步的，所述硅片的上方设有加热板。

借由上述方案，本发明至少具有以下优点：本发明改变了传统的光刻胶喷涂方法中硅片在下、喷嘴在上的做法，将喷嘴设置在硅片下方，喷嘴喷射出的胶粒中粒径较大的胶粒由于重力作用，会无法到达硅片表面，保证了到达硅片表面的胶粒粒径的均匀性，从而提高了喷涂的均匀性，避免了大粒径的胶粒导致硅片表面粗糙等异常的发生。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1是光刻胶喷涂装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。