[发明专利]用于磁位置测量系统的射线可透过的发射器

权利要求书

1.一种在磁位置测量系统中使用的设备，所述设备包括：

发射器，所述发射器包括:

场生成元件，所述场生成元件具有低X射线横截面，其中，所述场生成元件包括布置在片材或板材中的至少一个导电螺旋体，并且其中，所述至少一个螺旋体是平面的；以及

非场生成区域，所述非场生成区域围绕所述场生成元件。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，当所述设备用于X射线成像系统时，所述场生成元件具有50％或更小的X射线衰减。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，X射线衰减在包括所述场生成元件和所述非场生成区域的所述发射器的整个表面是均匀的。

4.根据权利要求1所述的设备，包括支承所述场生成元件的支承结构，其中，所述支承结构具有低X射线横截面，并且包括碳纤维、硼纤维、玻璃纤维或分子量为27或更低的其它材料。

5.根据权利要求1所述的设备，包括导电涡电流屏蔽元件，其中，所述屏蔽元件包括分子量为27或更低的金属并且所述屏蔽元件至少部分地位于X射线路径中，并且其中，当所述设备用于X射线成像系统时，所述屏蔽元件具有50％或更小的X射线衰减。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，每个螺旋体内的间隔填充有与所述螺旋体的材料具有相似的X射线吸收的材料。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述材料包括：具有与所述螺旋体相同的厚度并且被层压至与所述螺旋体相同的基底基板的铝；或者厚度被调节为使得所述X射线吸收与所述螺旋体的X射线吸收相匹配的不同材料。

8.根据权利要求6所述的设备，其中，所述材料包括与包含粉末状二氧化钛的材料混合的聚合物基质，其中所述材料的比例被调节为使得所述X射线衰减与所述螺旋体的X射线衰减相匹配。

9.根据权利要求6所述的设备，其中，在所述螺旋体的间隔中的所述材料包括布置成与所述螺旋体邻近的负镜像螺旋体，使得在所述发射器的整个表面上所述材料的组合X射线衰减是均匀的。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述镜像螺旋体由导电或非导电基板支承。

11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述场生成元件包括由铝导体形成的平面螺旋线圈和在所述导体之间的间隔中与所述导体邻近的衰减材料，所述衰减材料具有与所述铝导体相似的X射线吸收。

12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述螺旋体为聚合物基板上的铝螺旋线圈。

13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器被配置成在X射线成像过程期间附接至X射线成像装备。

14.根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器被配置成柔性地变形成期望的形状。

15.根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器被操作为接收器以感测由磁发射器生成的磁场。

16.根据权利要求1所述的设备，包括传感器和处理器，其中，所述发射器被操作成磁耦合至所述传感器，所述传感器利用由所述发射器生成的磁场的无线转播，所述发射器连接至所述处理器，所述处理器能够检测所述传感器的取向、输出位置和所述转播的特性。

17.根据权利要求1所述的设备，其中，所述螺旋体由方形铝线形成。

18.一种方法，包括：

形成发射器，所述发射器包括具有低X射线横截面的场生成元件，形成发射器包括：

在片材或板材中形成至少一个平面导电螺旋体，以及

用非场生成区域围绕所述至少一个平面导电螺旋体。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，对所述发射器进行定位，使得在对X射线成像装备进行操作和定位时，所关注的X射线成像区域处于所述发射器的均匀衰减边界内。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述至少一个螺旋体包括将螺旋图案光化学地蚀刻到铝聚酯层压片上。

21.根据权利要求18所述的方法，形成所述发射器包括以镜像螺旋体的形式在每个螺旋体的间隔中填充材料。