[发明专利]一种管线探测仪的低频发射电路

权利要求书

1.一种管线探测仪的低频发射电路，其特征在于，包括依次连接的信号驱动电路、保护电路、功率放大电路、阻抗匹配电路以及发射射频信号的发射天线；

所述信号驱动电路接收输入信号并增大所述输入信号的功率；

所述保护电路隔离所述信号驱动电路的输出信号中的直流分量；

所述功率放大电路包括第一变压器、H桥电路，所述保护电路、所述第一变压器、所述H桥电路依次连接；所述功率放大电路通过所述第一变压器驱动所述H桥电路对所述保护电路的输出信号进行驱动放大；

所述阻抗匹配电路对所述H桥电路与所述发射天线进行阻抗匹配；

所述信号驱动电路包括与非门电路U1，非门电路U2，电容C1、C2、C3、C4，电感L1，二极管D1、D2；

非门电路U2的输入端与与非门电路U1的输出端连接，非门电路U2的输出端分别与电容C1的一端、电容C2的一端、二极管D1的正极、二极管D2的负极连接，电容C1的另一端、电容C2的另一端、二极管D2的正极均接地；电感L1的一端外接电源，另一端分别于电容C3的一端、电容C4的一端、二极管D1的负极连接；电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地。

2.根据权利要求1所述的管线探测仪的低频发射电路，其特征在于，所述第一变压器为17CHO8C。

3.根据权利要求1或2所述的管线探测仪的低频发射电路，其特征在于，所述阻抗匹配电路包括第二变压器。

4.根据权利要求1所述的管线探测仪的低频发射电路，其特征在于，所述保护电路包括电阻R1、R2，NPN型三极管Q1，PNP型三极管Q2，电容C5、C6、C7，电感L2；

电阻R1的一端与非门电路U2的输出端连接，电阻R1的另一端分别与NPN型三极管Q1的基极、PNP型三极管Q2的基极连接；NPN型三极管Q1的集电极、电容C5的一端、电容C6的一端均与二极管D1的负极连接，电容C5的另一端、电容C6的另一端均接地；PNP型三极管Q2的发射极接地；NPN型三极管Q1的发射极与PNP型三极管Q2的集电极极与电容C7的一端连接，电容C7的另一端分别与电阻R2、电感L2的一端连接，电阻R2、电感L2的另一端相互连接。

5.根据权利要求4所述的管线探测仪的低频发射电路，其特征在于，所述H桥电路包括场效应管Q3、Q4、Q5、Q6；

场效应管Q3、Q4的漏极均与电感L1一端连接；场效应管Q3的栅极通过电阻R3与17CHO8C的引脚9连接，场效应管Q3的源极分别与场效应管Q5的漏极、17CHO8C的引脚10连接；场效应管Q4的源极与场效应管Q6的漏极连接，场效应管Q4的栅极通过电阻R5与17CHO8C的引脚6连接；场效应管Q5的栅极通过电阻R4与17CHO8C的引脚8连接；场效应管Q5、Q6的源极以及17CHO8C的引脚2、引脚4、引脚7均接地；场效应管Q6的栅极通过电阻R6与17CHO8C的引脚3连接。